基本參數：
類別：分離式半導體產品家庭：MOSFET，GaNFET-單
系列：HEXFET?
FET型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET特點：標準型
開態Rds（最大）@Id,Vgs@25°C：23毫歐@28A,10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續漏極(Id)@25°C：57A
Id時的Vgs(th)（最大）：4V@250μA
閘電荷(Qg)@Vgs：130nC@10V
在Vds時的輸入電容(Ciss)：3130pF@25V
功率-最大：200W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3(直引線)
包裝：管件
供應商設備封裝：TO-220AB
其它名稱：*IRF3710PBF
