主要參數：
電晶體極性:N溝道
開態電阻, Rds(on):0.013ohm
電壓@Rds測量:10V
電壓Vgs 最高:4V
功耗:150W
封裝類型:TO-220AB
針腳數:3
功率Pd:150W
封裝類型:TO-220AB
引腳節距:2.54mm
電晶體數:1
電晶體類型:MOSFET
溫度@電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
熱阻:0.75°C/W
電壓Vgs@Rds on 測量:10V
電壓Vds典型值:75V
電流Id連續:71A
電流Idm脈衝:280A
表面安裝器件:通孔安裝
通態電阻Rds(on)@Vgs = 10V:0.013ohm
閾值電壓Vgs(th)典型值:4V
特點：
先進的工藝技術
超低On-Resistance
175°C工作溫度
快速開關
重複性雪崩中允許多達Tjmax
