EL2中心

EL2中心是未摻Cr的GaAs中一種常見的深能級缺陷，它是施主型的複合點缺陷中心，實際上可能是兩個Ga空位與GaAs所組成的一種點缺陷。

性質：

影響：它能夠補償淺受主雜質，而使得GaAs呈現為半絕緣狀態；對材料性能的穩定性具有不良影響。

減小影響的措施：為了減小EL2這種缺陷中心，可在GaAs中適當地摻入一些Cr；但又為了避免過度摻Cr所帶來的其他不良影響，則可同時摻入少量的氧，以形成一些ELO中心來共同起補償作用。於是就發展出了一種既摻Cr又摻O的所謂雙摻雜技術。