張春玲[南開大學物理科學院副教授]

張春玲，女，南開大學物理學院基礎物理實驗中心，力熱實驗室講師。l 目前承擔科研工作：1.南開大學物理學院基地項目：硫化鋅低維結構的製備和物性研究，2.教育部基於博士點的青年教師基金項目：利用有序排列的埋層量子點改善表面量子點光電性能的研究。

個人簡歷

張春玲[南開大學物理科學院副教授]

1995.9-1999.7 河北師範大學物理系 物理學專業 本科

1999.9-2002.3 河北工業大學材料學院 材料物理與化學專業 碩士

2002.4-2005.7 中國科學院半導體研究所 材料物理與化學專業 博士

2005.7-今 南開大學物理學院基礎物理實驗中心 力熱實驗室 講師

所教課程：

教授力熱組所有實驗，共包括17個實驗題目。

n 單擺測定重力加速度

n 速度和加速度測量

n 伸長法測量金屬絲的楊氏模量

n 共振法測量金屬桿的楊氏模量

n 碰撞

n 弦振動

n 聲速的測量

n 混合量熱法測定凍的熔解熱

n 水的比熱容的測定

n 氣墊裝盤驗證剛體的轉動定律

n 拖拉法測定水的表面張力係數

n 測定空氣的比熱容比

n 干涉法測定固體的線膨脹係數

n 毛細管法測定液體的粘滯係數

n 轉桶法測定液體的粘滯係數

n 真空的獲得與測量

科研方向

碩士期間

砷化鎵（GaAs）是一種重要的化合物半導體材料，具有電子遷移率高、直接躍遷型能帶結構等優點，主要用於製備微電子器件和光電子器件。液封直拉技術生長GaAs單晶獲得了廣泛關注，因為它能夠以合理的成本生產大直徑的半絕緣單晶。半絕緣材料是生產積體電路等微電子器件的良好材料，而這種套用就要求整個晶片具有很高的均勻性。研究證明，SI-GaAs襯底電學特性的不均勻與材料中深能級微缺陷，特別是EL2(深能級施主，被認為是As的反位缺陷的複合體)微沉澱、有極大的關係，而這些深能級微缺陷又與熱應力形成的長入位錯有密切聯繫。

在我研究的課題中採用擇優腐蝕法、X射線異常透射形貌、透射電鏡、掃描電鏡和能量色散譜等多種實驗手段研究SI-GaAs單晶的位錯與微缺陷。發現幾乎所有高位錯密度的SI-GaAs單晶的表層都具有網路狀胞狀結構或系屬結構，首次對該胞狀結構和系屬結構的形成機制進行了研究；直接觀察微缺陷，配合EDS（能量色散譜）鑑定SI-GaAs中微缺陷的物理本質，同時分析其產生原因，討論與位錯的相互作用。最後用掃描電鏡觀察胞狀或系屬結構，來評估其對襯底電學參數不均勻性的影響。

研究成果對材料和器件生產者了解晶體缺陷對於器件生產的危害，改進材料、器件生產工藝，控制生產流程以及提高器件質量等方面提供良好理論依據。

博士期間

低維半導體材料是一種人工設計和發展的新型半導體材料，基於它的量子尺寸效應、量子干涉效應、庫侖阻塞效應以及非線性光學效應等，是新一代量子器件的基礎，在未來納米電子學、光子學和光電集成等方面有重要的套用前景。其中的量子點和量子線更是廣泛用於製作雷射器和探測器。由於目前常用的應變自組裝方法不能控制量子點和量子線的生長位置，從而限制了它在單電子電晶體等器件中的套用，量子點和量子線的可控生長成為目前國內外研究的重點。

參加973重點基礎研究項目“應變自組裝量子線和量子點材料”（No. G2000068303.）和國家自然科學基金“可控和有序半導體納米材料” （No. 60290081.）的研究，主要承擔量子點和量子線可控生長的研究。具體工作如下：

☆研究了在超薄InGaAs應變層上生長有序排列的量子點。發現了襯底/應變層界面上的位錯與表面量子點成核位置的對應關係，找到界面上位錯對量子點的定位原因，做到即使存在位錯引入的非輻射複合中心的影響，也可通過選擇合適的生長和結構參數，使材料具有較好的發光性能。

☆研究了在SiO2 掩膜的視窗內定位生長量子點。

☆發明了在超晶格解理面上利用應力調製和高度調製來控位生長量子線和量子點的方法。此方法對量子點和量子線的定位效果顯著，得到的量子線縱橫比可達到30以上，在2004年的SIMC-XIII國際會議上引起了國內外同行的關注，並已經申請了國家發明專利。

目前承擔科研工作

2008年南開大學物理學院基地項目：硫化鋅低維結構的製備和物性研究

2007年教育部基於博士點的青年教師基金項目：利用有序排列的埋層量子點改善表面量子點光電性能的研究

重要論文代表作

1) 解理面預處理方法對二次外延的影響，張春玲，唐蕾，徐波，陳涌海，王占國，29，3（2008）544-548

2) Ordering growth of InAs quantum dots on ultra-thin InGaAs strained layer，C.L.Zhang, Z.G.Wang, F.A.Zhao, B.Xu, P.Jin, J.Cryst.Growth., 265（2004）60－64

3) Development of cross-hatch grid morphology and its effect on ordering growth of quantum dots, C.L.Zhang, B.Xu, Z.G.Wang, P.Jin, F.A.Zhao, Physica E., 25 (2005) 592-596

4) Site controlling of InAs quantum wires on cleaved edge of AlGaAs/GaAs superlattice，C.L.Zhang, Z.G.Wang, Y.H.Chen, C.X.Cui, B.Xu, P.Jin, Nanotechnology，16（2005）1379-1382

5) Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots,Chunling Zhang, Lei Tang, Yuanli Wang, Zhanguo Wang, Bo Xu, Physica E., Physica E 33 (2006) 130-133

6) 利用GaAs基上InGaAs應變層製備有序排列的InAs量子點，張春玲, 趙鳳璦，徐波，金鵬，王占國，半導體學報，25,12（2004）1647

7) 在解理面上製作半導體納米結構的方法，陳涌海, 張春玲, 崔草香, 徐波 等，中華人民共和國知識產權局專利

8) 量子點及其套用（Ⅰ），趙風璦，張春玲，王占國，物理，VOL.33,No.4,(2004)249

9) 量子點及其套用（Ⅱ），趙風璦，張春玲，王占國，物理，VOL.33,No.5,(2004)327

10)SiO2視窗寬度對量子點定位生長的影響，張春玲 徐波 王占國 朱天偉 趙風璦，2002年中國材料研討會論文摘要集R7

11)徐岳生 張春玲 劉彩池等，半絕緣砷化鎵單晶中的晶體缺陷半導體學報，2003.024.[phone]