CMP拋光液:
CMP拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，拋光液具有良好的去油污，防鏽，清洗和增光性能，並能使金屬製品超過原有的光澤。性能穩定、無毒，對環境無污染等作用。
性能：去油污，防鏽，清洗和增光性能
作用：性能穩定、無毒，對環境無污染
特性
拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，具有良好的去油污，防鏽，清洗和增光性能，並能使金屬製品超過原有的光澤。本產品性能穩定、無毒，對環境無污染等作用，光液使用方法：包括棘輪扳手、開口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺絲刀等，鉛錫合金、鋅合金等金屬產品經過研磨以後，再使用拋光劑配合振動研磨光飾機，滾桶式研磨光式機進行拋光；1拋光劑投放量為（根據不同產品的大小，光飾機的大小和各公司的產品光亮度要求進行適當配置），2：拋光時間：根據產品的狀態來定。3、拋光完成後用清水清洗一次並且烘乾即可。
英文名
polishingslurry
拋光液
CMP（ChemicalMechanicalPolishing）
化學機械拋光
這兩個概念主要出現在半導體加工過程中，最初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMPChemicalMechanicalPolishing）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，完美性好，但表面平整度和平行度差，拋光後表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為完美的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是目前能夠實現全局平面化的唯一有效方法。
製作步驟
依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對矽單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個複雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：
（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的矽原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。
（2）拋光表面反應物脫離矽單晶表面，即解吸過程使未反應的矽單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。
矽片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大於機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大於化學腐蝕作用，則表面產生高損傷層。
套用
1.LED行業
目前LED晶片主要採用的襯底材料是藍寶石，在加工過程中需要對其進行減薄和拋光。藍寶石的硬度極高，普通磨料難以對其進行加工。在用金剛石研磨液對藍寶石襯底表面進行減薄和粗磨後，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現了藍寶石表面的精密拋光。隨著LED行業的快速發展，聚晶金剛石研磨液及二氧化矽溶膠拋光液的需求也與日俱增。
2.半導體行業
CMP技術還廣泛的套用於積體電路(IC)和超大規模積體電路中(ULSI)對基體材料矽晶片的拋光。隨著半導體工業的急速發展，對拋光技術提出了新的要求，傳統的拋光技術（如：基於澱積技術的選擇澱積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術解決了這個問題，它是目前唯一的可以在整個矽圓晶片上全面平坦化的工藝技術。
分類
拋光液的主要產品可以按主要成分的不同分為以下幾大類：金剛石拋光液（多晶金剛石拋光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液）、氧化矽拋光液（即CMP拋光液）、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化矽拋光液等幾類。
氧化矽拋光液
氧化矽拋光液（CMP拋光液）是以高純矽粉為原料，經特殊工藝生產的一種高純度低金屬離子型拋光產品。
廣泛用於多種材料納米級的高平坦化拋光，如：矽晶圓片、鍺片、化合物半導體材料砷化鎵、磷化銦，精密光學器件、藍寶石片等的拋光加工。
氧化鈰拋光液
氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細、粒度分布均勻、硬度適中等特點。
適用於高精密光學儀器，光學鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、積體電路光掩模等方面的精密拋光。
氧化鋁和碳化矽拋光液
是以超細氧化鋁和碳化矽微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。
主要用於高精密光學儀器、硬碟基板、磁頭、陶瓷、光纖連線器等方面的研磨和拋光。
