CIGS薄膜太陽能電池

CIGS的研製CIS薄膜的禁頻寬度為1.04ev，當摻入適當的Ga以替代部分In Se2和CuGaSe2的固溶晶體簡稱CIGS，薄膜的禁頻寬度可在1.04-1.7範圍內調整。 而理想多晶體薄膜太陽能的吸收層理想的禁頻寬度為1.5，可見調整Ga和In

太陽能電池的工作原理及特性

目前的太陽能電池以薄膜太陽能電池為主，當太陽能照到半導體的PN結上，形成電子空穴對，在PN結電廠作用下，電子有P區流向N區域，空穴從N極流向P區域，分別形成在N區過剩的電子和P區過剩的空穴的積累，建立一P區為正N去為負的光生電動勢（光生電壓），接入負載後形成光生電流，這就是太陽能的工作原理。
銅銦鎵硒薄膜太陽能電池是20世紀80年代後期開發出來的新型太陽能電池，典型的多層膜結構如下：金屬刪、減反射膜、視窗層、過度層、光吸收層、背電極和基板。

CIGS材料的電化學性質

材料的電化學性質（電阻率、導電類型、載流子濃度、遷移率）主要取決於材料的元素組分比，以及偏離化學計量比而引起的固有缺陷（如空位、填陷原子、替位原子），此外還和非本徵摻雜和晶界有關。

CIGS的研製

CIS薄膜的禁頻寬度為1.04ev，當摻入適當的Ga以替代部分In成為CuInSe2和CuGaSe2的固溶晶體簡稱CIGS，薄膜的禁頻寬度可在1.04-1.7範圍內調整。而理想多晶體薄膜太陽能的吸收層理想的禁頻寬度為1.5，可見調整Ga和In的比例，我們可以獲得理想禁頻寬的吸收層。