基本參數：
封裝：DIP
處理信號：模擬信號
製作工藝：半導體集成
導電類型：雙極型
集成程度：大規模
類別：積體電路(ic)
比特數：12
數據接口：管狀
採樣率(/秒)：28.6k
操作溫度：0°C~70°C
供電電壓源：雙重±
數量的輸入和類型：雙相性精神
功率消耗(最高)：725mW
k ~
封裝：DIP
處理信號：模擬信號
製作工藝：半導體集成
導電類型：雙極型
集成程度：大規模
類別：積體電路(ic)
比特數：12
數據接口：管狀
採樣率(/秒)：28.6k
操作溫度：0°C~70°C
供電電壓源：雙重±
數量的輸入和類型：雙相性精神
功率消耗(最高)：725mW