60度棱位錯對半導體性能的影響：
①該位錯線上存在有一串懸掛鍵, 可以接受電子而成為一串負電中心, 起受主作用，也可以失去電子而成為一串正電中心, 起施主作用；這些受主或施主串形成的能級實際上組成一個一維的很窄的能帶。實驗測得的位錯能級是[Ev+(0.06±0.03)eV](Si中) 和 [Ec下(0.2~0.3)eV](Ge中), 都起受主作用(深受主能級)。不過, 單純的位錯即使濃度達到105/cm2,它所提供的載流子濃度也只是約1012/cm3，故對半導體的導電性能的影響實際上不大；但是, 當位錯密度較高時, 它將對n-型半導體中的施主有補償作用, 使電子濃度降低（對p-型半導體未發現位錯的補償作用）。
②由於棱位錯周圍存在有張應變和壓應變, 則棱位錯將使得能帶發生禁頻寬度的變窄和變寬，即產生形變勢。
③位錯所造成的晶格畸變是散射載流子的中心, 將嚴重影響載流子的遷移率; 不過在位錯密度<108/cm2時, 這種散射作用可忽略。但在n-型Si中, 位錯作為受主中心電離後即形成一條帶負電的線, 這將對載流子產生各向異性的散射作用。
④位錯在半導體中形成的都是深能級, 起複合中心作用，將促進載流子複合、減短少數載流子壽命。
⑤將促進雜質的沉積：位錯應力場與雜質的相互作用, 使得雜質優先沿位錯線沉積; 特別是在Si中溶解度小、擴散快的重金屬雜質 (Cu、Fe、Au等), 更容易沉積在位錯線上。這就將形成大量的深能級複合中心, 甚至引起導電通道。如果有一定量的C、O或N原子沉積在位錯線上 (實際上是處於某種鍵合狀態), 可以“釘”住位錯, 使得位錯不易滑移和攀移, 這將使Si片的強度大大提高。[1]
