深能級

深能級所屬現代詞，指的是靠近導帶的空穴束縛態，或能量很接近價帶頂的電子束縛態。

電子-模型圖

深能級是指靠近導帶的空穴束縛態，或能量很接近價帶頂的電子束縛態。　半導體中的深能級所包括的範圍十分廣闊，可以是單個的雜質原子或缺陷，也可以是雜質和缺陷的絡合體。它們往往可以連續接受幾個電子，在禁帶中形成多重能級，各對應於不同的電荷態。
半導體的 深能級雜質可以提供電子和空穴複合的渠道，起“複合中心”的作用，其具體過程是，導帶電子落入深能級，然後再落入價帶的空能級；其總效果是消滅一對電子和空穴,即電子-空穴複合。這個過程也可以看做是深能級先後俘獲一個電子和一個空穴。複合的逆過程就是電子-空穴對的產生,它可以看做是深能級先後發射一個電子和一個空穴。
雜質能級的位置位於禁帶中心附近，電離能較大，在室溫下，處於這些雜質能級上的雜質一般不電離，對半導體材料的載流子沒有貢獻，但是它們可以作為電子或空穴的複合中心，影響非平衡少數載流子的壽命，這類雜質稱為深能級雜質。