刻蝕設備2300 Versys Kiyo能夠兼容200、300毫米尺寸的矽片並滿足90納米至65納米以下的各技術節點的關鍵刻蝕工藝的需求。這套設備能夠用於邏輯電路、與非/或非快閃記憶體以及動態隨機存取存儲器的半導體前道生產。同時它也可以適用於前道硬掩模刻蝕工藝及中間如無定形碳等材料的刻蝕工藝。
2300 Versys Kiyo，用於邏輯電路、與非/或非快閃記憶體以及動態隨機存取存儲器的半導體前道生產。
刻蝕設備2300 Versys Kiyo能夠兼容200、300毫米尺寸的矽片並滿足90納米至65納米以下的各技術節點的關鍵刻蝕工藝的需求。這套設備能夠用於邏輯電路、與非/或非快閃記憶體以及動態隨機存取存儲器的半導體前道生產。同時它也可以適用於前道硬掩模刻蝕工藝及中間如無定形碳等材料的刻蝕工藝。