在不久前於美國舊金山舉行的國際電子組件會議(IEDM)上，不少有關先進邏輯製程技術的論文發表都著重在32納米節點，只有IBM等少數公司發表了幾篇22納米技術論文；事實上，不少領先半導體大廠都在進行22納米製程的研發，究竟在這個領域有哪些技術挑戰？以下是由Semiconductor Insights分析師Xu Chang、Vu Ho、Ramesh Kuchibhatla與Don Scansen所列出的15大22納米製程節點技術挑戰，僅供參考(Semiconductor Insights隸屬EETimes美國版母公司United Business Media旗下)：
成本與負擔能力
IC生產所需的研發、製程技術、可製造性設計(DFM)等部分的成本不斷飛升，而最大的問題就是，邁入22納米節點之後，量產規模是否能達到經濟平衡？
微縮
製程微縮已經接近極限，所以下一步是否該改變電路(channel)材料？迄今為止，大多數的研究都是電路以外的題材，也讓這個問題變得純粹。鍺(germanium)是不少人看好的電路材料，具備能因應所需能隙(bandgap)的大量潛力。
微影技術
新一代的技術包括超紫外光(extreme ultraviolet，EUV)與無光罩電子束微影(maskless electron-beam lithography)等，都還無法量產。不過193納米浸潤式微影技術將在雙圖案(double patterning)微影的協助下，延伸至22納米製程。
電晶體架構
平面組件(Planar devices)很可能延伸至22納米節點；不過多閘極MOSFET例如英特爾(Intel)的三閘電晶體(tri-gate transistor)，以及IBM的FinFET，則面臨寄生電容、電阻等挑戰。
塊狀矽
在22納米製程用塊狀矽還是SOI好？目前還不清楚，也許兩種都可以。
高介電常數/金屬閘極
取代性的閘極整合方案，將因較狹窄的閘極長度而面臨挑戰；為縮減等效氧化層厚度(equivalent oxide thickness，EOT)，將會需要用到氧化鋯(Zirconium oxide)。
應力(Strain)技術
應變記憶技術(stress memorization techniques，SMT)、拉伸應力工具(tensile stress liner)等各種技術目前已經獲得套用，嵌入式Si-C也可能需要用以改善NMOS電流驅動。嵌入式矽鍺(SiGe)、壓縮應力工具以及電路/基板定位，則需要用以提升PMOS性能。
夾層電介質
超低介電常數(Ultra low-k)電介質或氣隙(air gap)技術，以及新一代的銅阻障技術都是有必要的。將「K」值近一步由2.6降低到2.2，也是降低偶合電容所必須。還需要多孔碳摻雜氧化材料(Porous carbon-doped oxide materials)。
NMOS與PMOS的超淺接面
需要離子植入(ion implantation)以及快速瞬間退火(anneal)等技術。
先進的銅導線劃線工具
為改善銅導線的性能，需要先進的劃線工具(liner)與覆蓋層(capping layer)。
寄生電容與電阻
這會是很大的挑戰，也許會需要升高源/汲極(elevated source/drain)、先進矽化物、金屬源/汲極，以及鑲嵌式銅觸點(damascene copper contact)。
嵌入式記憶體
零電容隨機存取記憶體(Zero capacitor RAM，ZRAM)是一個熱門研究題材，不過還不到量產階段；傳統的6T SRAM將延伸至22納米製程。
組件電路相互干擾
這也會是個很大的挑戰；相關問題包括親微影(litho-friendly)電路布局、製程變異 vs. 電路性能，以及可製造性設計(DFM)的考慮。
變異性
挑戰包括閘極線邊緣粗糙度(line-edge roughness)、通道雜質控制，以及SRAM的靜電干擾極限。
標線(reticle)與晶圓校準
這是22納米製程的殺手級缺陷挑戰。
除了以上的15大挑戰，22納米製程技術還有其它需要克服的障礙，包括電子遷移率的提升、 短通道效應(Short channel effect)等。
