![黃如[中科院院士，北京大學信息科學技術學院院長]](/img/0/93f/nBnauM3XyIjM2gzMykjN0kTO0UTMyITNykTO0EDMwAjMwUzL5YzL1YzLt92YucmbvRWdo5Cd0FmLyE2LvoDc0RHa.jpg "黃如[中科院院士，北京大學信息科學技術學院院長]")
人物經歷
黃如1991年，畢業於東南大學電子工程系，
1994年，獲該校碩士學位，
1997年，獲得北京大學博士學位，研究領域為新器件技術及其套用。
2015年12月7日，當選中國科學院信息技術科學部院士。
中共北京市第十二屆委員會候補委員
主要成就
科研成就
研究工作主要集中在納米尺度新型半導體器件、工藝技術及相關套用技術等方面。已合作出版著作4本，發表學術論文200餘篇，包括專業頂級國際會議IEDM和VLSI會議、專業頂級期刊IEEE EDL和T-ED上的40餘篇文章；獲得100餘項發明專利授權；應邀在國際會議上做了20餘次大會報告和特邀報告；
主要從事微電子低功耗器件及工藝研究。提出並研製出面向低功耗高可靠電路套用的準SOI新結構器件和面向超低功耗電路套用的肖特基-隧穿混合控制新機理器件。發展了適於十納米以下積體電路的圍柵納米線器件理論及技術，系統揭示了器件關鍵特性的新變化及其物理根源，提出了可大規模集成的新工藝方法，成功研製出低功耗圍柵納米線器件及模組電路。發現了納米尺度器件中漲落性和可靠性耦合的新現象及其對電路性能的影響，提出了新的漲落性/可靠性分析表征方法及模型。
科研成果
1、Ru Huang; Runsheng Wang; Ming Li,Characteristics of NBTI in Multi-gate FETs for Highly Scaled CMOS Technology, Temperature Instability for Devices and Circuits, Tibor Grasser, Springer, pp 643-659, 美國, 2014.
2、黃如; 李強; 蔡一茂; 劉業帆; 潘岳; 余牧溪,一種具有選擇特性的阻變存儲器及其製備方法（申請）, 中國, 中國國家知識產權局, CN201310717874.4.
3、黃如; 樊捷聞; 黎明; 楊遠程; 宣浩然,製備準SOI源漏多柵器件的方法（申請）, 中國, 中國國家知識產權局, CN201310696063.0.
4、黃如; 樊捷聞; 黎明; 楊遠程; 宣浩然,製備準SOI源漏場效應電晶體器件的方法（申請）, 中國, 中國國家知識產權局, CN201310697719.0.
5、Pengpeng Ren; Peng Hao; Changze Liu; *Runsheng Wang; Xiaobo Jiang; Yingxin Qiu; *Ru Huang; Shaofeng Guo; Mulong Luo; Meng Li; Jianping Wang; Jingang Wu; Jinhua Liu; Weihai Bu……,New observations on complex RTN in scaled high-k/metal-gate MOSFETs–the role of defect coupling under DC/AC condition, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2013/12/9-2013/12/11, pp 778-781, Washington, DC,USA, 2013/12/9, 口頭報告.
6、Runsheng Wang; Mulong Luo; Shaofeng Guo; *Ru Huang; Changze Liu; Jibin Zou; Jianping Wang; Jingang Wu; Nuo Xu; Waisum Wong; Scott Yu; Hanming Wu; Shiuh-Wuu Lee; Yangyuan Wang,A unified approach for trap-aware device/circuit co-design in canoscale CMOS technology, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2013/12/9-2013/12/11, pp 834-837, Washington, DC, 2013/12/9, 口頭報告.
7、Fei Tan; *Ru Huang; *Xia An; Yimao Cai; Yue Pan; Weikang Wu; Hui Feng; Xing Zhang; YangYuan Wang,Investigation on the response of TaO –based resistive random-access memories to heavy-ion irradiation, IEEE Transactions on Nuclear Science, 60(6), pp 4520-4525, 2013/12.
8、*Ru Huang; Qianqian Huang; Chunlei Wu; Zhan Zhan; Yingxin Qiu; Jiaxin Wang; Yangyuan Wang,Steep-slope devices with mechanism engineering for steep switching and improved driving capability, International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2013/12/11-2013/12/12, p WP5-1, Maryland USA, 2013/12, 特邀報告.
9、Qianqian Huang; *Ru Huang; Yue Pan; Shenghu Tan; Yangyuan Wang,A novel resistive-gate field-effect transistor with 24.7mV/dec subthreshold slope based on a Resistive TiN/TaOx/Poly-Si Gate Stack, International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2013/12/11-2013/12/12, p WP9-48, Maryland, 2013/12, 牆報展示.
10、吳漢明; 寧先捷; 陳志豪; 趙宇航; 陳嵐; 陳壽麵; 黃如; 康勁; 嚴曉浪; 劉慶煒; 黃威森; 張立夫; 葉甜春; 張興; 張衛,超大規模積體電路65-40納米成套產品工藝研發與產業化, 中華人民共和國國務院, 國家科學技術進步獎, 二等獎, 2013/12.
11、Runsheng Wang; Mulong Luo; Shaofeng Guo; *Ru Huang; Changze Liu; Jibin Zou; Jianping Wang; Jingang Wu; Nuo Xu; Waisum Wong; Scott Yu; Hanming Wu; Shiuh-Wuu Lee; Yangyuan Wang,A unified approach for trap-aware device/circuit co-design in canoscale CMOS technology, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),, 2013/12/9-2013/12/11, pp 834-837, 2013/12, 口頭報告.
12、黃如; 余牧溪; 蔡一茂; 張鎮星; 李強; 黎明,高一致性低功耗阻變存儲器及製備方法（申請）, 中國, 中國國家知識產權局, CN201310618361.8.
13、黃如; 余牧溪; 蔡一茂; 王宗巍; 劉業帆; 黎明,高一致性的阻變存儲器結構及其製備方法（申請）, 中國, 中國國家知識產權局, CN201310624918.9.
14、蔡一茂; 王宗巍; 黃如; 劉業帆; 余牧溪; 方亦陳,一種採用超材料電極結構的阻變存儲器及其製備方法（申請）, 中國, 中國國家知識產權局, CN201310596986.9.
15、黃如; 黃芊芊; 吳春蕾; 王佳鑫; 王陽元,一種三面源隧穿場效應電晶體及其製備方法（申請）, 中國, 中國國家知識產權局, CN201310576433.7.
16、黃如; 黃芊芊; 吳春蕾; 王佳鑫; 王超; 王陽元,抑制隧穿電晶體泄漏電流的方法及相應的器件和製備方法（申請）, 中國, 中國國家知識產權局, CN201310571563.1.
17、HUANG Ru; HUANG Qianqian; ZHAN Zhan; Qiu Yingxin; WANG Yangyuan,SELF-ADAPTIVE COMPOSITE TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME（申請）, 美國, United States Patent and Tradeark Office, 14/117,007.
18、黃如; 黃芊芊; 吳春蕾; 王佳鑫; 詹瞻; 王陽元,一種結調製型隧穿場效應電晶體及其製備方法（申請）, 中國, 中國國家知識產權局, CN201310552567.5.
19、Xiaobo Jiang; *Runsheng Wang; Tao Yu; Jiang Chen; *Ru Huang,Investigations on line-edge roughness (LER) and line-width roughness (LWR) in nanoscale cmos technology: Part i-modeling and simulation method, IEEE Transactions on Electron Devices, 60(11), pp 3669-3675, 2013/11.
20、Li Wang; Xin Wang; Zitao Shi; Rui Ma; Jian Liu; Zhongyu Dong; Chen Zhang; Lin Lin; Hui Zhao; Lijie Zhang; *Albert Wang; Yuhua Cheng; Ru Huang,Dual-direction nanocrossbar array ESD protection structures, IEEE Electron Device Letters, 34(1), pp 111-113, 2013/11.
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榮譽表彰
曾獲國家技術發明二等獎、國家科技進步二等獎、教育部自然科學一等獎、北京市科學技術一等獎（2次）、中國青年科技獎等。
教育部長江特聘教授、中國青年科技獎，獲得了國家傑出青年科學基金，並被列入教育部新世紀優秀人才計畫。
曾獲國家技術發明二等獎、國家科技進步二等獎、教育部自然科學一等獎、北京市科學技術一等獎（2次）、中國青年科技獎等。
社會任職
擔任《中國科學：信息科學》副主編、《IEEE Transactions on Electron Devices》編委、《Nanotechnology》編委；“十二五”國家863專家組成員、信息產業科技發展“十一五”計畫和2020年中長期規劃編制專家組專家；被選為IEEE EDS Elected BOG委員等；任國際會議主席15次、國際會議TPC委員數十次。
