顯微光蝕刻技術

該單核苷酸的另一端用光敏保護基團X保護，以便下一位核苷酸的延伸；(更換掩模M2，雷射點光源照射下一個位點；在支持物上去保護、偶聯上dCMP等；重複上述過程直至合成所需要的寡核苷酸探針。

簡介

支持物表面經化學處理後，表面活性基團連線有光敏保護基團（以X表示）受到保護；合成時，選擇合適的光刻掩模（mask）如M1保護不需聚合的部位；需要聚合部位因沒有掩模而在雷射點光源的照射下，除去該部位的光敏保護基團，活性基團（OH）游離出來；加入單核苷酸（如dTMP）的亞磷醯胺活化端與該活性基團發生化學偶聯反應。