![韓秀峰[中科院物理研究所研究員]](/img/f/401/nBnauM3X3MjM1cDN3MjM4kTO0UTMyITNykTO0EDMwAjMwUzLzIzL3MzLt92YucmbvRWdo5Cd0FmLxE2LvoDc0RHa.jpg "韓秀峰[中科院物理研究所研究員]")
簡介
年畢業於蘭州大學物理系獲學士學位，1990和1993年在吉林大學獲理學碩士和博士學位。1994-1996年在中科院物理所博士後。1998年巴西物理研究中心訪問學者，1999至2000年日本東北大學日本學術振興會海外特別研究員。2000年12月入選中科院“百人計畫”。2001年美國紐奧良大學和愛爾蘭都柏林大學聖三一學院研究員。2002年至今為物理所研究員、博士生導師、課題組長。2003年獲國家基金委傑出青年基金資助。美國JAP、APL、J. Nanosci. and Nanotech. 及Microelectronics J.等雜誌邀請審稿人。目前負責正在執行的國家自然科學基金項目一項、NSFC-JSPS中日國際合作交流基金一項、中愛國際合作重大研究基金一項；在科技部973項目《自旋電子學材料、物理及器件》中負責第一子課題《磁性隧道結材料、物理及器件》的研究工作。
研究方向及成績
自旋電子學的材料、物理及器件原理研究。
過去的主要工作及獲得的成果：主要從事納米磁性薄膜、磁性隧道結材料、新型稀土永磁以及磁各向異性理論和自旋電子輸運性質的研究工作。在SCI收錄的國際學術雜誌上發表論文80餘篇，其中有60餘篇論文同時也被EI收錄。有關新相化合物R3（Fe，T）29及其永磁體的研究工作獲1997年東京第四屆國際材料大會（IUMRS）優秀青年學者獎。2000年1月在日本東北大學用CoFe合金製備出當時國際最高記錄的室溫磁電阻比值為50%、4.2K為70%的磁隧穿電阻結，這種磁隧穿電阻結是製備磁動態隨機存儲器（MRAM）的較佳材料。通過引入各向異性的自旋波波長截止能量ECγ，改進了一種隧穿電子自旋極化輸運理論。這些研究工作對研製用於計算機的新一代磁動態隨機存儲器和磁頭及其它磁敏感器件等具有重要的實驗和理論價值。2003年12月他和研究生及合作者在非晶Co-Fe-B/Al-O/Co-Fe-B磁性隧道結和半金屬La-Sr-Mn-O複合磁性隧道結研究方面獲得了4.2K隧穿磁電阻分別超過100%和3000%的重要進展，從隧道結器件層次上印證了非晶合金Co-Fe-B的高自旋極化率和La-Sr-Mn-O半金屬性質的可利用性。2003年提交專利申請10項。
目研究課題及展望
1.磁性隧道結和隧穿磁電阻（TMR）效應及磁隨機存儲器（MRAM）器件原理的研究；
2.基於自旋閥和磁性隧道結的磁電阻材料及其磁敏感測器的研究；
3.高密度垂直磁記錄介質材料的製備及其磁性質研究；
4.納米約束磁電阻材料的微製備及自旋輸運性質的研究；
5.半金屬和金屬氧化物複合磁性隧道結的微製備及其自旋輸運性質的研究。
