非晶矽薄膜電晶體

非晶矽薄膜電晶體（a-Si：H TFT--amorphous silicon thin film transistor）溝道採用非晶矽材料製成。由於非晶矽可以澱積在各種大面積的襯底上，所以生產成本低廉，得到了廣泛的套用。

非晶矽薄膜可以通過輝光放電分解矽烷製備。所以實際上這樣製作的非晶矽薄膜是非晶矽和氫的合金。（a-Si：H）

非晶矽又稱為無定形矽。電子在非晶矽中的運動可以分為兩類：1、擴展態：和晶體中電子運動相似，電子可以在整個材料中做公有化運動。2、局域態：電子只能局域在材料的某些點附近的一個小範圍內運動。其中局域態又可以區分為帶尾局域態和缺陷局域態。帶尾局域態：非晶矽中每個矽周圍都與4個矽原子作為最近鄰形成共價鍵。缺陷局域態：非晶矽中矽周圍不一定是4個矽原子最近鄰形成共價鍵，可能與3個矽原子作為最近鄰形成共價鍵。剩下的一個鍵成為懸掛鍵，這個懸掛件既可以釋放電子稱為帶正點的電離施主，也可以捕獲電子成為帶負點的電離受主。

非晶矽薄膜電晶體在結構和工作原理上和一般的MOSFET相似。具有MOS結構，並且也是場效應電晶體。柵極在非晶矽中感應溝道，並在源漏偏壓下導電。