圖書信息
出版社: 電子工業出版社; 第1版 (2008年3月1日)
平裝: 450頁
正文語種: 簡體中文
開本: 16
isbn: 9787121060045
條形碼: 9787121060045
商品尺寸: 23.4 x 18.2 x 2.4 cm
商品重量: 721 g
品牌: 電子工業出版社發行部
內容簡介
《薄膜電晶體(TFT)及其在平板顯示中的套用》闡述了基於氫化非晶矽和多晶矽的薄膜電晶體的發展、性質、製造工藝、圖案化及器件性能，同時強調了基於有機、有機-無機雜化半導體材料的新的、替代性及潛在突破性的技術。作者簡介
編者：(美國)CherieRKaganpaulAndry目錄
第1章 薄膜電晶體的發展歷程1.1 引言
1.2 20世紀30年代
1.3 20世紀40年代
1.4 20世紀50年代
1.5 20世紀60年代
1.6 20世紀70年代
1.7 20世紀80年代
1.8 20世紀90年代
1.9 總結
參考文獻
第2章 氫化非晶矽薄膜電晶體的製備與性能
2.1 氫化非晶矽薄膜電晶體簡介
2.2 氫化非晶矽薄膜電晶體的基本特性
2.2.1 線性區
2.2.2 飽和區
2.3 氫化非晶矽薄膜電晶體的結構劃分
2.3.1 反交疊型氫化非晶矽薄膜電晶體的結構
2.3.2 交疊型氫化非晶矽薄膜電晶體的結構
2.3.3 短溝道氫化非晶矽薄膜電晶體的結構
2.3.4 共面型氫化非晶矽薄膜電晶體的結構
2.3.5 高電壓氫化非晶矽薄膜電晶體的結構
2.4 用於高性能a-Si：H TFT中的PECVD材料製備
2.4.1 用PECVD沉積a-Si：H薄膜
2.4.2 用PECVD沉積SiNx薄膜
2.4.3 用PECVI]沉積n+a-Si：H薄膜
2.4.4 界面特性的改善
2.5 塑膠襯底上的氫化非晶矽薄膜電晶體
2.5.1 低溫沉積
2.5.2 塑膠襯底上的氣體阻擋層
2.5.3 應力影響
參考文獻
第3章 氫化非晶矽薄膜電晶體
3.1 前言
3.2 氫化非晶矽薄膜電晶體的數值模擬
3.2.1 模擬氫化非晶矽薄膜電晶體的模型
3.2.2 氫化非晶矽薄膜電晶體的溫度影響
3.2.3 光照下的氫化非晶矽薄膜電晶體的特性
3.3 氫化非晶矽薄膜電晶體的特性
3.3.1 薄膜電晶體特性的標準化
3.3.2 氫化非晶矽薄膜電晶體電學參數的提取
3.3.3 氫化非晶矽薄膜電晶體的源漏串聯電阻
3.3.4 柵極化的四探針氫化非晶矽薄膜電晶體
3.3.5 氫化非晶矽薄膜厚度的影響
3.3.6 光照下氫化非晶矽薄膜電晶體的特性
3.4 先進的氫化非晶矽薄膜電晶體結構
3.4.1 高性能的背溝道刻蝕型氫化非晶矽薄膜電晶體
3.4.2 柵平面化的氫化非晶矽薄膜電晶體
3.4.3 匯流排掩埋的氫化非晶矽薄膜電晶體
3.4.4 全自對準氫化非晶矽薄膜電晶體
3.4.5 頂柵氫化非晶矽薄膜電晶體
3.5 氫化非晶矽薄膜電晶體電學性能的不穩定性
3.6 結論
參考文獻
第4章 多晶矽薄膜電晶體
4.1 引言
4.2 AMLCD和LTPS TFT LCD概述
4.2.1 集成周邊驅動電路的LTPsTFT的要求
4.2.2 有源矩陣定址的薄膜電晶體的要求
4.3 矽薄膜沉積方法
4.4 非晶矽晶化
4.4.1 固相晶化
4.4.2 準分子雷射晶化
4.4.3 晶化技術的發展趨勢
4.5 柵絕緣層形成
4.6 摻雜與激活
4.7 典型的多晶矽薄膜電晶體的製造工藝流程
參考文獻
第5章 薄膜電晶體在有源矩陣液晶顯示中的套用
5.1 有源矩陣的設計與製造
5.1.1 AMLCD中TFT和陣列要求
5.1.2 存儲電容結構
5.1.3 電過應力(EOS)與靜電放電(ESD)保護
5.1.4 陣列測試
5.1.5 TFT陣列中的缺陷與修復
5.2 顯示系統問題
5.2.1 TFT有源矩陣驅動方案
5.2.2 顯示驅動晶片
5.2.3 集成驅動器和功能
5.2.4 系統電子的要求
5.3 先進的高解析度、高性能和大面積的AMLCD
參考文獻
第6章 基於有機材料的薄膜電晶體
6.1 背景介紹
6.2 基本原理和工作模式
6.3 有機半導體的範圍和局限
6.4 器件材料和結果
6.4.1 電化學聚合的聚噻酚
6.4.2 真空沉積的低聚噻酚並五苯及其他小分子
6.4.3 六噻酚和並五苯的單晶
6.4.4 溶液加工的聚烷基噻酚
6.4.5 基於印刷技術的全有機器件
6.4.6 n型半導體
6.4.7 絕緣層對載流子遷移率的影響
6.5 結論
參考文獻
第7章 基於小分子的真空沉積有機薄膜場效應電晶體
7.1 背景介紹
7.2 利用有機分子真空升華製備OTFr的方法
7.3 小分子有機半導體電荷傳輸機制
7.4 有機電晶體的操作和模擬
7.5 有機電晶體的性能
7.5.1 p型OTFT的性能
7.5.2 形態學與電學性質的關係
7.5.3 遷移率對柵電壓的依賴
7.5.4 器件構型對並五苯電晶體性能的影響
7.5.5 n型OTFT性能的進展
7.6 結論及展望
參考文獻
第8章 有機電晶體：材料、圖案化技術及其套用
8.1 簡介
8.2 有機半導體
8.2.1 線性稠環
8.2.2 二維稠環化合物
8.2.3 聚合半導體
8.3 夾層電介質
8.4 圖案化技術
8.4.1 絲網印刷
8.4.2 微膠束模型
8.4.3 微接觸印刷
8.4.4 近場光刻
8.5 塑膠薄膜電晶體在柔性顯示和邏輯電路中的套用
8.5.1 電子紙張顯示器
8.5.2 邏輯電路
8.6 結論
致謝
參考文獻
第9章 基於溶解加工和直接印刷技術構建的聚合物電晶體電路
9.1 背景介紹
9.2 歷史的觀點
9.3 器件物理學
9.4 經過聚合物自組織增加遷移率
9.5 聚合物電晶體電路的直接噴墨印刷
9.6 套用
9.6.1 有源矩陣顯示器
9.6.2 識別標籤
9.6.3 全聚合物光電子積體電路
9.7 結論
參考文獻
第10章 基於有機.無機雜化材料的薄膜電晶體
10.1 背景介紹
10.2 鈣鈦礦結構的雜化物
10.3 薄膜沉積和圖案化
10.3.1 溶液加工
10.3.2 插入反應
10.3.3 熱蒸發
10.3.4 圖案化
10.4 薄膜電晶體
10.5 結論
參考文獻
薄膜電晶體概念
薄膜電晶體（英語：Thin-Film Transistor，縮寫：TFT）， 是場效應電晶體的種類之一，大略的製作方式是在基板上沉積各種不同的薄膜，如半導體主動層、介電層和金屬電極層。TFT是在基板 (如是套用在液晶顯示器，則基板大多使用玻璃) 上沉積一層薄膜當做通道區。
大部份的TFT是使用氫化非晶矽 (a-Si:H) 當主要材料，因為它的能階小於單晶矽 (Eg =1.12eV)，也因為使用a-Si:H當主要材料，所以TFT大多不是透明的。另外，TFT常在介電、電極及內部接線使用銦錫氧化物 (ITO) ，ITO則是透明的材料。
因為TFT基板不能忍受高的退火溫度，所以全部的沉積製程必須在相對低溫下進行。如化學氣相沉積、物理氣相沉積 (大多使用濺鍍技術) 都是常使用的沉積製程。如要製作透明的TFT，第一個被研究出來的方法是使用氧化鋅材料，此項技術由奧勒崗州立大學的研究員於2003年時發表。
很多人都知道薄膜電晶體主要的套用是TFT LCD，液晶顯示器技術的一種。電晶體被作在面板里，這樣可以減少各pixel間的互相干擾並增畫面穩定度。大略是從2004年開始，大部份便宜的彩色LCD螢幕都是使用TFT技術的。連在乳線和癌症X-ray檢查的數位X-ray攝影技術上也很常使用TFT面板。
新的AMOLED (主動陣列OLED) 螢幕也內建了TFT層。
