產生條件
非平衡載流子的產生：非平衡狀態的半導體有兩種情況，一種是比平衡載流子多出了一部分載流子，為注入情況；另一種是比平衡載流子缺少了一部分載流子，為抽出情況。
壽命
非平衡載流子的壽命：在沒有外界作用時，所多出的載流子——非平衡載流子將要複合而消失（半導體恢復到平衡狀態），非平衡載流子的平均消失時間就是載流子的“複合壽命”；相反，對於缺少了載流子的半導體，將要產生出載流子、以恢復到平衡狀態，這時，產生出缺少了的一部分載流子所需要的時間就是載流子的“產生壽命”。複合與產生的機理與半導體種類有關，Si主要是複合中心的間接複合機理。
非平衡載流子多半是少數載流子：由於半導體電中性條件的要求，一般不能向半導體內部注入、或者從半導體內部抽出多數載流子，而只能夠注入或者抽出少數載流子，所以半導體中的非平衡載流子一般就是非平衡少數載流子。
運動形式
非平衡載流子的運動：因為作為少數載流子的非平衡載流子能夠產生濃度梯度，所以，非平衡載流子的擴散是一種重要的運動形式；在小注入時，儘管非平衡載流子的數量很小，但是它可以形成很大的濃度梯度，從而能夠產生出很大的擴散電流。相對來說，非平衡載流子受電場作用而產生的漂移電流卻往往較小。
