載流子注入

半導體物理基本釋義

載流子注入（carrier ejection）
半導體通過外界作用而產生非平衡載流子的過程稱作載流子注入。利用光照在半導體內引入非平衡載流子的方法稱為載流子的光注入。除光照外，還可以利用電的或其他能量傳遞方式在半導體中注入載流子，最常用的是電的方法，稱作載流子電注入。電注入載流子現象的發現直接導致半導體放大器的發明。

形成條件

在不同條件下，載流子注入的數量是不同的。當注入載流子濃度與熱平衡時多數載流子濃度相比很小時，多數載流子濃度基本不變，而少數載流子濃度近似等於注入載流子濃度，這通常稱作小注入情況；若注入載流子濃度可與多數載流子濃度相比，則稱作大注入情況。