定義
霍爾元件套用的基本原理是 霍爾效應。 霍爾效應是一種磁敏效應，一般在 半導體薄片的長度X方向上施加磁感應強度為B的磁場，則在寬度Y方向上會產生 電動勢UH，這種現象即稱為霍爾效應。UH稱為霍爾 電勢，其大小可表示為：
UH=RH/d*IC*B （1）
式中，RH稱為霍爾係數，它的單位是 米的三次方每庫侖，由半導體材料的性質決定；d為半導體材料的厚度。
設RH/d=K,則式（1）可寫為：
UH=K*IC*B (2)
可見，霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比，K稱為乘積 靈敏度。K值越大，靈敏度就越高； 元件厚度越小， 輸出電壓也越大。
在式（2）中，若控制 電流IC,為常數，磁感應強度B與被測電流成反比，就可以做成 霍爾電流感測器；另外，若仍固定IC為常數，B與被測電壓成正比，又可製成霍爾電壓感測器。
霍爾效應
霍爾效應是 磁電效應的一種，這一現象是 美國 物理學家霍爾（A.H.Hall，1855—1938）於1879年在研究金屬的導電機構時發現的。當電流垂直於外磁場通過 導體時，在導體的垂直於磁場和電流方向的兩個端面之間會出現 電勢差，這一現象便是 霍爾效應。這個 電勢差也被叫做霍爾電勢差。
