電晶體放大方法

電晶體放大方法是使用電晶體來實現信號電平放大的方法。電晶體是一種三層結構的半導體器件，中間薄層稱為基區，它與其他兩層的半導體導電類型不同，若基區為N型(電子導電型)，則其他兩層為P型(空穴導電型)，該類電晶體稱為PNP型電晶體。若基區為P型，則為NPN型電晶體。在適當的直流偏置電平下，流入基區的微量電流變化可引導出集電區中電流甚大的變化。因而，在一定直流偏壓下，給予基區一信號電平，在集電極(集電區引出端子)上可形成與輸入信號相似但得到幅度成倍增長的電平，從而實現信號放大。

電晶體的另一區域稱為發射區(導電類型與集電區相同)，其對應的引出端子稱為發射極。按輸入、輸出端連線方式的不同，電晶體放大電路可分三種：①共發射極放大電路，其特點是輸入、輸出阻抗適中，一般情況下，電流、電壓均有增益;②集電極電路，集電極為輸入、輸出公用端，基極輸入、發射極輸出，其特點是有電流增益，但電壓傳輸係數小於1;③共基極電路，發射極輸入、集電極輸出，其特點是電流傳輸係數小於1，有電壓增益，頻率回響好。可按不同的需要採用不同的電晶體放大方法。