電晶體截止狀態

電晶體的工作狀態(工作模式)有放大狀態、飽和狀態、截止狀態和反向放大狀態四種.截止狀態就是電流很小、基本上不導通的一種工作狀態(工作模式).這種狀態,不管是BJT(雙極型電晶體),還是FET(場效應電晶體),都是一致的，都是代表關斷的狀態;在輸出伏安特性曲線上,其範圍都是處於最下面的小區域(緊靠橫軸——電壓軸).
(1)對於BJT:
BJT的截止狀態就是發射結和集電極都是反偏的狀態,輸出電流當然很小;這是一種”關”態.在共基極組態中,該很小的輸出電流也就是集電結的反向飽和電流Ibco;而在共發射極組態中,該很小的輸出電流是E、C電極之間的所謂穿透電流Ieco.
一般,Ieco要比Ibco大得多.因為Ieco實際上也就是基極開路時的E、C電極之間的電流;而對於共發射極組態來說,即使基極開路,但發射結上還是加有正向電壓、集電結上加有反向電壓,即BJT仍然是處於放大狀態,只不過這時通過發射結的”輸入電流”是很小的Ibco,因此輸出的集電極電流Ic就應該是: Ic=Ibco+βIbco=(1+β)Ibco.
(2)對於FET:
FET的截止狀態就是沒有溝道的狀態,當然這時不會導電;通過的電流也就是漏結的反向飽和電流,非常小.這也是一種”關”態.
注意:FET的截止狀態不同於其飽和狀態(即放大狀態).截止狀態是根本不存在溝道的狀態,而飽和狀態是有溝道、但溝道在漏極一端被夾斷了的狀態;因此截止狀態的輸出電流很小,而飽和狀態的輸出電流很大.
此外,對於MOSFET,也要注意區分截止狀態與亞閾狀態這兩種工作狀態.亞閾狀態是半導體表面多數載流子耗盡、能帶彎曲,但又沒有完全形成溝道的一種狀態(又稱為弱反型狀態,這時耗盡層厚度尚未達到最大);因此在亞閾狀態工作時,有較小的電流沿著表面流動、並受到柵極電壓的控制,從而可用作為低功耗的開關.