零光衰
LED封裝行業術語，工藝標準。是指封裝廠在LED封裝過程中，嚴格控制各項導致LED性能衰減的因素，以達到LED性能的最好最持久的發揮。包括LED晶片控制，固晶膠水導熱性能，支架表面平整性，支架導熱性，螢光粉配比，環氧樹脂材料選擇，製程控制，金絲的導電導熱性，烤箱時間及溫度的控制等。以控制LED的衰減程度，以達到理想的光衰效果，到達幾乎零光衰的套用水準。
零光衰工藝是日本LED鼻祖日亞（NICHIA）公司最先提出的，標準是1千小時光衰小於4%。在國內，深圳市源磊科技在08年下半年開始模仿日亞封裝技術，在焊線和螢光粉配比，以及在烘烤時間上進行了複製，該司的實驗室數據表明，通過各項指標的完全模仿甚至拓展。至2010元月，小功率LED到達幾乎零光通量衰減的實驗報告。
光衰
在對感光鼓表面充電時，隨著電荷在感光鼓表面的積累，電位也不斷升高，最後達到 "飽和"電位，就是最高電位。表面電位會隨著時間的推移而下降，一般工作時的電位都低 於這個電位，這個電位隨時間自然降低的過程，稱之為"暗衰"過程。感光鼓經掃描曝光時 ，暗區（指未受光照射部分的光導體表面）電位仍處在暗衰過程；亮區（指受光照射部分的 光導體表面）光導層內載流子密度迅速增加，電導率急速上升，形成光導電壓，電荷迅速消 失，光導體表面電位也迅速下降。稱之為"光衰"，最後趨緩。
LED光衰
LED光衰是指LED經過一段時間的點亮後,其光強會比原來的光強要低,而低了的部分就是LED的光衰. 一般LED封裝廠家做測試是在實驗室的條件下(25℃的常溫下),以20MA的直流電連續點亮LED1000小時來對比其點亮前後的光強.
光致衰退效應
也稱S-W效應。a-Si∶H薄膜經較長時間的強光照射或電流通過,在其內部將產生缺陷而使薄膜的使用性能下降,稱為Steabler-Wronski效應。
對S-W效應的起因,至今仍有不少爭議,造成衰退的微觀機制也尚無定論,成為迄今國內外非晶矽材料研究的熱門課題。總的看法認為,S-W效應起因於光照導致在帶隙中產生了新的懸掛鍵缺陷態(深能級),這種缺陷態會影響a-Si∶H薄膜材料的費米能級EF的位置,從而使電子的分布情況發生變化,進而一方面引起光學性能的變化,另一方面對電子的複合過程產生影響。這些缺陷態成為電子和空穴的額外複合中心,使得電子的俘獲截面增大、壽命下降。
在a-Si∶H薄膜材料中,能夠穩定存在的是Si-H鍵和與晶體矽類似的Si-Si鍵,這些鍵的鍵能較大,不容易被打斷。由於a-Si∶H材料結構上的無序,使得一些Si-Si鍵的鍵長和鍵角發生變化而使Si-Si鍵處於應變狀態。高應變Si-Si鍵的化學勢與H相當,可以被外界能量打斷,形成Si-H鍵或重新組成更強的Si-Si鍵。如果斷裂的應變Si-Si鍵沒有重構,則a-Si∶H薄膜的懸掛鍵密度增加。為了更好地理解S-W效應產生的機理並控制a-Si∶H薄膜中的懸掛鍵,以期尋找穩定化處理方法和工藝,20多年來,國內外科學工作者進行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱鍵斷裂(SJT)模型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si橋鍵形成模型、“defect pool”模型等,但至今仍沒有形成統一的觀點。
