相關詞條
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BJT穿通電壓
，就是在外加反向偏壓還未達到集電結髮生雪崩擊穿時就出現了電流突然增大的一種...局部穿通電壓等。 ① 基區穿通： BJT的基區穿通就是集電結還未發生雪崩倍增時、集電結勢壘區就已經擴展到了整個基區（即基區寬度減小到0...
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電晶體放大狀態
(1)對於BJT：BJT的放大狀態就是發射結正偏、集電結反偏的一種工作...共發射極組態的BJT，即使輸入端（基極）開路，由於仍然保持為發射結正偏、集電結反偏，故也同樣具有放大作用，即可把集電結反向飽和電流Ibco放大成...
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集成二極體
在這種結構中，電晶體的集電結實際上並不起作用，因此，不存在襯底的寄生...集電結電壓始終為0），則開關的存儲時間很短，從而二極體的開關速度最快；同時，這時的電晶體實際上是處於臨界飽和狀態（發射結正偏、集電結0偏），故交流...
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晶體三極體
與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter...電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Eb。在製造...電子流稱為發射極電流子。由於基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子...
基本釋義 發展歷史 工作原理 產品分類 產品參數 -
雙極性電晶體
結為“發射結”）處於正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結...、物理尺寸薄，並且集電結處於反向偏置狀態，大部分電子將通過漂移運動抵達集電極區域，形成集電極電流。為了儘量緩解電子在到達集電結之前發生的複合...
簡介 基本原理 發展套用 分析方法 結構 -
基區展寬效應
效應（Early效應），後者是在較大集電結電壓時所出現的一種現象，是基區...的產生機理： 對於一般放大工作的npn-BJT，由於集電結加有反向電壓，則在基區尾部、靠近集電結勢壘邊緣處的電子(少子)被抽出、使得該處...
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雙極電晶體
：發射結和集電結均為反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去...：發射結和集電結均為正向偏置。在飽和區IC不受IB的控制，管子失去放大作用...。 ★放大區：發射結正偏，集電結反偏。 放大區的特點是： ◆IC受IB...
簡介 分類 特點 影響 光電流 -
BJT擊穿電壓
電壓，實際上也就是集電結的擊穿電壓。這時反偏集電結的情況與單個p-n結... 線性緩變結的關係來確定該擊穿電壓。對於 合金電晶體，集電結可很好的近似為...，則BVcbo主要決定於集電區的摻雜濃度。然而，由於集電結不一定是典型...
基本概念 有關因素 有關說明 -
基區寬度調製效應
因為BJT在放大狀態工作時，集電結上的反偏電壓（直流電壓+交流電源）是變化的，則集電結的勢壘厚度也將隨著變化，這就會導致基區寬度發生變化；這種由集電結電壓而引起基區寬度發生變化的現象，最早是由Early提出並加以...
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雙極型電晶體
和集電結均為反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力...集電結均為正向偏置。在飽和區IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE...大區：發射結正偏，集電結反偏。放大區的特點是：◆IC受IB的控制，與UCE...
介紹 分類 特點 影響
