簡介：
（a）B-C短路（VBC=0）的二極體（發射結二極體）：
因為在這種結構中，電晶體的集電結實際上並不起作用，因此，不存在襯底的寄生p-n-p管的影響（參見圖3-27）；而且電晶體也不可能進入過飽和狀態（因為集電結電壓始終為0），則開關的存儲時間很短，從而二極體的開關速度最快；同時，這時的電晶體實際上是處於臨界飽和狀態（發射結正偏、集電結0偏），故交流電阻較小，正向壓降也較低。此外，由於發射區摻雜濃度很高，則該二極體的最高工作溫度較高、反向飽和電流也較小。所以，這種二極體在IC中用得最多。DTL電路的輸入門二極體一般就都採用這種二極體。
（b）C-E短路（VCE=0）的二極體：
當這種二極體導通時，電晶體的兩個p-n結都是正偏的，即電晶體處於飽和狀態，則將在基區和集電區中產生大量的少數載流子的過量存儲電荷，故這種二極體開關的存儲時間很長，可用作為電荷存儲管；而且這是兩個p-n結並聯的二極體，勢壘電容較大；同時，這裡由於集電結的正偏也將導致出現寄生p-n-p管效應。所以，這種二極體的性能較差，一般不用。
（c）B-E短路（VBE=0）的二極體（集電結二極體）：
該集成二極體的最大特點是擊穿電壓較高（因為集電區的摻雜濃度較低，擊穿電壓可大於20V）。但是當二極體在工作時，就相當於電晶體處於反向臨界飽和狀態，則將由於集電結正偏，而導致出現寄生p-n-p管效應。因此，這種二極體一般少有使用。
（d）集電極開路（IC=0）的二極體（發射結二極體）：
當這種二極體導通工作時，電晶體的發射結正偏，即向基區注入少數載流子，同時，由於這些載流子又不能流出集電極，則將導致集電結上產生出較大的浮空電勢（正偏），從而在基區中有大量的存儲電荷，使得二極體的開關速度較低；並且，由於集電結的這種正偏作用也將產生寄生p-n-p管效應。此外，由於發射區摻雜濃度很高，則二極體的正向壓降較高；同時，二極體的寄生端電容較小。一般，這種發射結二極體在電路中作電平位移用。
（e）發射極開路（IE=0）的二極體（集電結二極體）：
這種二極體在工作時，其內部載流子的分布狀況與集電極開路的發射結二極體基本相同，因此其特性也相差不大，即二極體的存儲時間較長，並且也存在寄生p-n-p管效應。不過，這種二極體的擊穿電壓較高（大於20V）。該二極體一般少有使用。
（f）單獨的集電結二極體：
這種二極體的特點是面積小（因為不需要發射結），正向壓降也低（中等），耐壓又高，而且勢壘電容和寄生端電容都較小。所以這種二極體在IC中也用得較多。
總之，在IC中用得最多的集成二極體是兩種，即B-C短路的發射結二極體和單獨的集電結二極體。其它型式的二極體一般用得較少。
