死區電壓是指在二極體套用在具體的電路中時,由於本身的壓降,也就是供電電壓小於一定的範圍時不導通,造成輸出波形有殘缺,從供電電壓經過零點直到輸出波形殘缺消失的時候,這一段電壓就是死區電壓,本質上就是二極體的開啟電壓。
當二極體加上正向電壓時,便有正向電流通過。但正向電壓很低時,外電場還不能克服PN結內電場對多數載流子擴散運動所形成的阻力,此時正向電流很小,二極體呈現很大的電阻。當正向電壓超過一定數值(矽管約0.5V,鍺管約0.1V)後,二極體電阻變得很小,電流增長很快。這個電壓往往稱 死區電壓。
理想二極體:死區電壓=0 ,正向壓降=0。
實際二極體:死區電壓為0.5V,正向壓降為0.6~0.7V(矽二極體/NPN管)。死區電壓為0.1V,正向壓降為0.2~0.3V(鍺二極體/PNP管)。