簡介
金屬剝離工藝是指一種精細的光刻腐蝕工藝。基片經過塗覆光致抗蝕劑、曝光、顯影后，以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩模，帶膠蒸發所需的金屬，然後在去除光致抗蝕劑的同時，把膠膜上的金屬一起剝離乾淨，在基片上只剩下原刻出圖形的金屬。金屬剝離工藝的優點是可獲得亞微米圖形，而且邊緣陡直，圖形尺寸精確。該工藝可普遍套用於要求精細光刻圖形的半導體器件的製造。
發展歷史
在GaAs MESFET工藝中，有幾種特殊工藝方法，其中最主要的是金屬剝離技術，自對準柵技術和柵刻槽技術。由於微波GaAs MESFET中，柵長為亞微米和亞半微米的數量級，而柵寬卻有好幾百微米甚至毫米數量級， 因此，用通常的矽電晶體金屬光刻廳法很難勝任，為此首先發展了金屬剝離工藝技術
工藝步驟
屬剝離工藝步驟大體如下：塗敷、曝光、顯影、堅膜以得到需要的圖形，接著在片子上做金屬化(通常用蒸發方法)，然後用有機溶劑(常用乙醇和丙酮)去除光致抗蝕劑。與此同時在抗蝕劑頂部的金屬隨抗蝕劑一起脫離，而同GaAs片子直接接觸的金屬被保留下來。
與腐蝕工藝不同，金屬剝離工藝的成功之處在於金屬對抗蝕劑邊緣特別靈敏，抗蝕劑圖形通常製成開口小腔體大有著頂部突出邊緣的剖面形狀，並研製出多種能提供這種剖面的光刻技術。
優點
金屬剝離工藝的優點是可獲得亞微米圖形，而且邊緣陡直，圖形尺寸精確。它克服了電晶體、積體電路工藝中常用的光刻腐蝕法的缺點。這種工藝目前已普遍套用於要求精細光刻圖形的砷化鎵場效應電晶體的製造中。在表面聲波器件製作及高精度鉻掩模、彩色掩模工藝中也正在採用這種工藝。
