量子阱雪崩光電二極體

量子阱雪崩光電二極體，QW-APD（Quan 因為要降低APD的噪音和提高增益-頻寬積，就要求i型區中電子的電離率an

量子阱雪崩光電二極體，QW-APD（Quantum Well APD）：

量子阱雪崩光電二極體

這是雪崩光電二極體（APD）的一種改進結構的新型器件。因為要降低APD的噪音和提高增益-頻寬積，就要求i型區中電子的電離率an>>空穴的電離率ap，但這對III-V族化合物半導體而言是不可能實現的，就是對於Si而言，在較高電場時an與ap也是比較接近的。然而如果採用包含有很多量子阱的超晶格材料，則可以做到an>>ap，即是用超晶格材料代替pin結中的i層（見左邊圖示）；這時因為ΔEc>>ΔEv，則電子被“加熱”厲害，比值（an/ap）可增大8~10倍，從而降低了噪音和提高了增益-頻寬積。進一步，若採用緩變帶隙超晶格材料來取代pin結中的i層（見右邊圖示），這還可更加增大ΔEc，使倍增過程幾乎完全由信號所控制，噪音大大得以降低。