個人經歷
2003.7 －至 今 南開大學泰達套用物理學院，從事半導體材料分子束外延生長與表 征
2000.9 － 2003.7 天津大學電信學院微電子學與固體電子學專業，博士
1997.9 － 2000.3 天津大學材料學院材料學專業，碩士
1993.9 － 1997.7 天津大學材料學院材料學專業，學士
研究方向
（1）分子束外延生長技術
（2）量子材料與器件
本組成果
（1） 生長出國內電子遷移率最高的AlGaAs/GaAs二維電子氣HEMT半導體外延材料，為161000cm2/V·s，光照後的77K電子遷移率為230000 cm2/V·s，2K時電子遷移率達到1780000cm2/V·s。
（2） 生長出外延層厚度為2.5mm以下的高質量InP/InP材料，電學性能為77K時電子遷移率47600cm2/V·s（磷的裂解溫度為850℃），該結果是目前國際上已報導的MBE外延InP/InP材料最好結果，測試鑑定結果為Riber公司MBE Compact 21T型設備的歷史最好水平。
發表論文
1．固態源MBE系統在生長InP後，生長高質量的調製摻雜GaAs材料的研究； Trans. Nonferrous Met. Soc. China, Vol.15 (2), 332-335 (2005)
2．高電子遷移率InP/InP外延材料的MBE生長，半導體學報，Vol.36(8)，(2005)
3．固態源MBE系統生長高質量的調製摻雜GaAs結構材料和 InP/InP外延材料的兼容性研究，人工晶體學報，Vol.34(3),395-398 (2005)
4．BaO-TiO2-Sm2O3系陶瓷結構與介電性能研究，壓電與聲光
5．BNT系納米粉體的製備及微波特性研究，電子科技大學學報
6．BNTN系陶瓷的微波特性研究，壓電與聲光
7．壓敏電阻陶瓷材料的研究進展，電子元件與材料
邢曉東副教授