記憶體異步工作模式

記憶體異步工作模式包含多種意義,在廣義上凡是記憶體工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為記憶體異步工作模式。

模式特點

最早的記憶體異步工作模式出現在早期的主機板晶片組中,可以使記憶體工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡單相差33MHz),從而可以提高系統記憶體性能或者使老記憶體繼續發揮餘熱。

在正常的工作模式(CPU不超頻)下,目前不少主機板晶片組也支持記憶體異步工作模式,例如Intel 910GL晶片組,僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻,但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經相差66MHz了),只不過搭配不同的記憶體其性能有差異罷了。

在CPU超頻的情況下,為了不使記憶體拖CPU超頻能力的後腿,此時可以調低記憶體的工作頻率以便於超頻,例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻,不少產品的外頻都可以輕鬆超上300MHz,而如果在記憶體同步的工作模式下,此時記憶體的等效頻率將高達DDR 600,這顯然是不可能的,為了順利超上300MHz外頻,我們可以在超頻前在主機板BIOS中把記憶體設定為DDR 333或DDR 266,在超上300MHz外頻之後,前者也不過才DDR 500(某些極品記憶體可以達到),而後者更是只有DDR 400(完全是正常的標準頻率),由此可見,正確設定記憶體異步模式有助於超頻成功。

目前的主機板晶片組幾乎都支持記憶體異步,英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持,而威盛公司則從693晶片組以後全部都提供了此功能。

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