記憶體超頻

記憶體超頻

記憶體超頻就是讓記憶體外頻運行在比它被設定運行的更高的速度下。

基本信息

簡介

我們知道,在一般情況下,CPU外頻與記憶體外頻是一致的,所以在提升CPU外頻進行超頻時,也必須相應提升記憶體外頻使之與CPU同頻工作,比如我們擁有一個平台,CPU為Athlon XP 1800+、KT600主機板、DDR266記憶體。Athlon XP 1800+默認外頻為133MHz、默認倍頻為11.5,主頻為1.53G,由於Athlon XP 1800+倍頻被鎖定了,只能通過提升外頻的方法超頻,假如將Athlon XP 1800+外頻提升到166MHz,此時CPU主頻為166MHz×11.5≈1.9GHz。 由於我們將CPU外頻提高到了166MHz,假如你使用的是DDR333以上規格記憶體,那么將記憶體頻率設定為166MHz屬於標準頻率下工作,但這裡使用的是DDR266記憶體,為了滿足CPU超頻需求,記憶體也必須由原來的DDR266(133MHz)超頻到DDR333(166MHz)使用。具體方法是進入BIOS設定,找到“Advanced Chipset Features” 選項,然後會看到一個“DRAM Clock”選項,將游標定位到這裡並回車,然後會出現記憶體頻率設定選項,在這裡我們選擇“166MHz”並回車,保存設定並退出即實現了記憶體同步超頻

記憶體異步超頻

在記憶體同步工作模式下,記憶體的運行速度與CPU外頻相同。而記憶體異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術可令記憶體工作在高出或低於系統匯流排速度33MHz或3:4、4:5(記憶體:外頻)的頻率上,這樣可以緩解超頻時經常受限於記憶體的“瓶頸”。 對於支持SDRAM記憶體的老主機板而言(如815系列),在支持記憶體異步的主機板BIOS中,可以在“DRAM Clock”下找到“Host Clock”、“Hclk-33M”、“Hclk+33M”三個模式。其中Host Clock為匯流排頻率和記憶體工作頻率同步,Hclk-33M表示匯流排頻率減少33M,而Hclk+33M可以使記憶體的工作頻率比系統外頻高出33MHz,比如將賽揚1.0G外頻從100MHz超到125MHz,而你的記憶體為PC133規格(即標準外頻為133MHz),此時在BIOS的“DRAM Clock”下選擇“Hclk+33M”,可以讓賽揚1.0G工作在125MHz外頻下,而記憶體卻可以在133MHz頻率下運行,充分挖掘記憶體的超頻潛力並提升系統性能。 而對於支持DDR記憶體的老主機板而言(如845G晶片組),Intel規定845G只支持DDR266(133MHz×2)記憶體,不過有的品牌845G主機板在BIOS中加入記憶體異步功能(比如微星845G MAX),在BIOS中按照4:5的比例進行設定,可以讓記憶體運行在166MHz,從而支持DDR333(166MHz×2),並使記憶體頻寬提升到2.66GB/s。具體操作方式是:進入BIOS設定中,進入“Advanced Chipset Features”的“DRAM Timing Setting”選項,然後進入“DRAM Frequency(記憶體頻率)”選項,在這裡可以看到266MHz、320MHz、400MHz、500MHz Auto等選項,我們直接選中“320MHz”即可。

電壓幫助超頻

記憶體頻率提升了,所以記憶體功耗也隨之增加,但在默認情況下,主機板BIOS中記憶體電壓參數是被設定為記憶體標準頻率的數值,通常來說,為了確保記憶體超頻的穩定性,我們需要增加記憶體電壓,很多主機板BIOS設定中都提供了記憶體電壓調節功能,同時記憶體電壓調節級別一般以0.05V或0.1V為檔次逐漸調節,記憶體電壓參數調節越細微,對超頻越有幫助。 調節記憶體電壓的方式是進入“Advanced Chipset Features”選項,然後將滑鼠游標定位到“Current Voltage”上,在這裡我們看到,該主機板記憶體電壓分了好幾段,電壓調節範圍從1.60V~2.70V,每相鄰的兩項之間的差值為0.1V,我們使用鍵盤上的向上鍵增加電壓,每按一次增加0.1V電壓。需要注意的是,超頻時不要一次將記憶體電壓提升太高,首先提升0.1V電壓,然後保存退出,進入WINDOWS系統對記憶體進行性能測試,如果很穩定,可以重新進入BIOS中再次將記憶體電壓提升0.1V,依次類推,直到自己滿意為止。

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