表面結構
指固體最表面幾個原子層內原子的排列狀況，包括：表面單位格線的形狀和大小，它是相對於基底單位格線的取向，表面單位格線中原子的數目和位置，最外層原子與第二、三……層原子的距離以及表面各層原子的排列狀況等。理想表面
將一塊晶體沿某晶面切開，而不改變切開面附近原子的位置和電子的密度分開，所形成的表面稱為“理想表面”,理想表面在自然界是不存在的。
表面弛豫
在表面附近,由於垂直於表面方向的晶體周期性中斷，作用在表面原子內外兩側的力失去平衡，相應的電子密度分布也發生變化，通過表面原子和電子自洽相互作用，使得表面原子和電子分布趨向新的平衡，這個過程叫做表面弛豫。晶體表面附近3～5層原子，其弛豫程度各不相同，形成了晶體和真空的過渡層,它像織邊一樣鑲在晶體的四周,決定著很多重要的表面物理、化學性質。由於織邊的存在，及電子向真空區的逃逸，在表面區可以出現電偶極層。
對多數金屬清潔表面，表面原子向新的平衡位置弛豫只引起表面法向原子間距膨脹或收縮，而不改變平行於表面的二維周期結構，即所謂的弛豫表面；但是對多數半導體和少數金屬晶體清潔表面，弛豫後平行於表面的原子排列的周期結構也發生了變化，改變了周期結構的表面稱為再構表面。再構也是弛豫的結果，如Si、Ge、GaAs、Pt、Au都存在再構表面。
晶體表面
晶體表面還經常出現台階和各種缺陷，由於它對晶體生長和化學催化起著特殊作用，所以近年來很受人們重視，特別對Pt的台階表面研究得最多。
實際的晶體表面經常吸附著外來的原子或分子（體內雜質也經常通過表面分凝而跑到表層），吸附在表面上的外來原子（或分子）一方面引起基底表面原子的排列發生變化,出現再構表面〔如Si(111)7×7結構吸附少量Au後變成5×5結構〕；另一方面吸附原子(或分子)本身的排列也常常呈不同於襯底的周期結構〔如 Ni(001)上的S，Co呈C(2×2)結構〕。同一晶體的不同晶面，不同溫度和不同吸附量經常出現不同的表面結構。
為方便起見，可用二維結晶學的方法來描述表面結構（見表面物理學）。應當指出，原子在表面的排列實際上是三維的。所以用二維結晶學的方法來描述只是個近似，或者說是它在表面上的投影。
研究方法
研究表面結構常用的手段是低能電子衍射，它的理論和實驗都發展得比較成熟。此外，也有採用反射高能電子衍射(RHEED)、掃描高能電子衍射(SHEED)和中能電子衍射(MEED)的。最近發展起來的研究手段有角分辨光電子譜、高分辨電子能量損失譜、低能離子散射譜、原子束（或分子束）背散射譜、擴展X 射線吸收精細結構譜、光電子衍射譜、掃描隧道顯微鏡以及場離子顯微鏡等，它們從不同方面提供了有關表面結構的重要信息。
配圖
晶體表面結構