主要科研成果：
率先發現了氟離子對AlGaN/GaN異質結二維電子氣的調製現象，並提出了物理解釋；基於這一新發現，成功地研製出高性能增強型AlGaN/GaN HEMTs。開發出GaN基單片集成新技術，研製出可在375 ℃ 高溫下正常工作的GaN基DCFL電路。發明了利用化學機械研磨(CMP)實現垂直結構大功率GaN LED的新技術。在國內外專業期刊及會議發表學術論文三十餘篇，申請美國專利六項,其中兩項處於公告期，申請中國專利兩項。
蔡勇 1993年於東南大學電子工程系畢業，獲得半導體物理與器件專業學士學位。同年加入南京電子器件研究所五中心，從事矽雙極型微波功率電晶體研究工作。1998年考入北京大學微電子所碩士研究生，2000年轉為博士研究生，於2003年獲得微電子學與固體電子學專業博士學位。2003年至2006年在香港科技大學電子電機系做博士後，致力於III族氮化物器件與積體電路研究。2006年至2008年在香港套用科技研究院有限公司LED器件組任研發經理，帶領研究小組進行大功率、高亮度GaN LED器件的研究與開發。2008年12月加入蘇州納米技術與納米仿生研究所，現為項目研究員，碩士生導師，研究方向為：1、半導體光電器件；2、固態高頻器件與電路。
主要科研成果：
率先發現了氟離子對AlGaN/GaN異質結二維電子氣的調製現象，並提出了物理解釋；基於這一新發現，成功地研製出高性能增強型AlGaN/GaN HEMTs。開發出GaN基單片集成新技術，研製出可在375 ℃ 高溫下正常工作的GaN基DCFL電路。發明了利用化學機械研磨(CMP)實現垂直結構大功率GaN LED的新技術。在國內外專業期刊及會議發表學術論文三十餘篇，申請美國專利六項,其中兩項處於公告期，申請中國專利兩項。