三極體的飽和區
先解釋一下三極體的飽和區：
當Uce較小時，Ic變化較小，即Ib失去了對Ic的控制能力，三極體處於飽和狀態。此時，三極體的發射結和集電結都處於正向偏置狀態，即：Ube>Uon且Uce < Ube ，βIb > Ic，Uce ≈0.3V。深度飽和時的Uce用Uces表示，三極體深度飽和時Uces很小，一般小功率管的Uces< 0.3V，鍺管的Uces< 0.1V，比矽管還要小。
臨界放大定義：
一般規定：當 Uce=Ube 時的狀態為臨界飽和（即Ucb=0 ）；當 Uce<Ube 時的狀態為過飽和。臨界飽和狀態和臨界放大狀態是指同一個意思。
什麼意思呢？可以理解為快要到達放大區了，但是還沒有，是一個臨界狀態，從“放大狀態的條件是Ube>Uon且Uce>Ube或Uce=Ube”這裡也可以看出來。
總的來講，是指三極體工作在飽和區時，且集電極和基極之間電壓為零（Ube=Uce）時的狀態。這個是電路工作的一個特殊狀態（方式）。但要記住的是這時的Ic依然是隨著Uce的增大而增大的，這個可以從三極體輸出特性曲線上可以看到的，放大區的Ic則與Uce幾乎沒有什麼關係，只決定於基極電流Ib。
上述分析從基本共射電路出發，歡迎補充這個定義在實際套用中的舉例等。
