維格納點陣

維格納點陣

正文

1934年E.P.維格納通過對電子氣的計算表明，當電子密度十分低時，點陣狀的分布比均勻分布具有更低的能量,所以預言在低溫、低密度下可以出現電子晶體,而後人們常稱這種晶體為維格納晶體或維格納點陣。
1979年，C.C.格里姆斯等首先在極低溫下的液氦表面吸附的單層電子中證實了維格納晶體的存在。這些電子只限於在液氦的表面上自由運動，所以是一個理想的二維電子氣模型，而且實驗上也比較容易在較大範圍內調節電子的密度。當密度調節到4.4×108cm-2左右,溫度下降到0.457K時, 出現二維三角形維格納點陣。施加磁場有利於這類維格納點陣的形成。
目前還沒有找到三維維格納點陣的實驗證據，也還沒有在有限溫度下這種點陣一定會存在的嚴格證明。

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