圖書信息
出版社: 電子工業出版社; 第1版 (2011年1月1日)
外文書名: Nanometer CMOS ICs From Basics to ASICs
叢書名: 國外電子與通信教材系列
平裝: 389頁
正文語種: 簡體中文
開本: 16
ISBN: 9787121126970, 7121126974
條形碼: 9787121126970
尺寸: 25.6 x 18.4 x 1.8 cm
重量: 640 g
作者簡介
作者：（荷蘭）維恩德里克（Harry Veendrick） 譯者：周潤德
內容簡介
《納米CMOS積體電路:從基本原理到專用晶片實現》基於作者維恩德里克長期在Philips和NXP Semiconductors公司講授CMOS積體電路內部課程時出版的三部專著的內容，並參考當今工業界最先進的水平對這些內容進行了全面修訂和更新，這保證了《納米CMOS積體電路:從基本原理到專用晶片實現》內容與積體電路工業界的緊密聯繫。《納米CMOS積體電路:從基本原理到專用晶片實現》結構嚴謹，可讀性強，書中附有大量的插圖和照片，列出了許多有價值的參考文獻，並提供了許多富有思考意義的練習題，因此《納米CMOS積體電路:從基本原理到專用晶片實現》是一本既適於教學、又適於自學的納米CMOS積體電路技術的專業引論書。
現今CMOS積體電路的特徵尺寸已進入了納米時代。《納米CMOS積體電路——從基本原理到專用晶片實現》全面介紹了納米CMOS積體電路技術。包括納米尺度下的器件物理、積體電路的製造工藝和設計方法；介紹了存儲器、專用積體電路和片上系統；突出了漏電功耗問題和低功耗設計，討論了工藝擾動和環境變化對集成電路可靠性和信號完整性的影響。書中還包括了有關納米CMOS積體電路的測試、封裝、成品率和失效分析，並在最後探討了未來CMOS特徵尺寸縮小的趨勢和面臨的挑戰。
《納米CMOS積體電路——從基本原理到專用晶片實現》可作為高等院校電子科學與技術（包括微電子與光電子）、電子與信息工程、精密儀器與機械製造、自動化、計算機科學與技術等專業本科高年級學生和研究生有關納米積體電路設計與製造方面課程的教科書，也可作為從事這一領域及相關領域的工程技術人員的參考書。
目錄
第1章 基本原理
1.1 引言
1.2 場效應原理
1.3 反型層MOS電晶體
1.4 推導簡單的MOS公式
1.5 背偏置效應（背柵效應、體效應）和正偏置效應
1.6 表征MOS電晶體行為的參數
1.7 不同類型的MOS電晶體
1.8 寄生MOS電晶體
1.9 MOS電晶體符號
1.10 MOS結構電容
1.11 結論
1.12 參考文獻
1.13 練習題
第2章 幾何、物理和電場按比例縮小對MOS電晶體行為的影響
2.1 引言
2.2 零電場時的遷移率
2.3 載流子遷移率的減小
2.4 溝道長度調製
2.5 短溝和窄溝效應
2.6 溫度對載流子遷移率及閾值電壓的影響
2.7 MOS電晶體的漏電機理
2.8 MOS電晶體模型
2.9 結論
2.10 參考文獻
2.11 練習題
第3章 MOS器件的製造
3.1 引言
3.2 用做起始材料的各種襯底（圓片）
3.3 MOS工藝中的光刻
3.4 刻蝕
3.5 氧化
3.6 澱積
3.7 擴散和離子注入
3.8 平坦化
3.9 基本的MOS工藝
3.10 結論
3.11 參考文獻
3.12 練習題
第4章 CMOS電路
4.1 引言
4.2 基本的nMOS反相器
4.3 CMOS電路的電氣設計
4.4 數字CMOS電路
4.5 CMOS輸入和輸出（I/O）電路
4.6 版圖設計過程
4.7 結論
4.8 參考文獻
4.9 練習題
第5章 特殊電路、器件和工藝
5.1 引言
5.2 CCD和CMOS圖像感測器
5.3 功率MOSFET電晶體
5.4 BiCMOS數字電路
5.5 結論
5.6 參考文獻
5.7 練習題
第6章 存儲器
6.1 引言
6.2 串列存儲器
6.3 按內容定址存儲器（CAM）
6.4 隨機存取存儲器（RAM）
6.5 非揮發性存儲器
6.6 嵌入式存儲器
6.7 各種存儲器的分類
6.8 結論
6.9 參考文獻
6.10 練習題
第7章 超大規模集成（VLSI）與專用積體電路（ASIC）
7.1 引言
7.2 數字IC
7.3 VLSI的抽象層次
7.4 數字VLSI設計
7.5 ASIC的套用
7.6 VLSI和ASIC的矽晶片實現
7.7 結論
7.8 參考文獻
7.9 練習題
第8章 低功耗——IC設計的熱點
8.1 引言
8.2 電池技術概述
8.3 CMOS功耗的來源
8.4 降低功耗的工藝選擇
8.5 降低功耗的設計選擇
8.6 計算能力與晶片功耗對比——對尺寸縮小的展望
8.7 結論
8.8 參考文獻
8.9 練習題
第9章 納米CMOS設計的穩定性：信號完整性、擾動和可靠性
9.1 引言
9.2 時鐘產生、時鐘分布及關鍵時序
9.3 信號完整性
9.4 擾動
9.5 可靠性
9.6 設計組織
9.7 結論
9.8 參考文獻
9.9 練習題
第10章 測試、成品率、封裝、調試和失效分析
10.1 引言
10.2 測試
10.3 成品率
10.4 封裝
10.5 第一塊矽晶片可能出現的問題
10.6 第一塊矽晶片的調試和失效分析
10.7 結論
10.8 參考文獻
10.9 練習題
第11章 尺寸縮小對MOS IC設計及半導體技術路線的影響
11.1 引言
11.2 電晶體尺寸縮小的影響
11.3 互連線尺寸縮小的影響
11.4 尺寸縮小對整個晶片性能和穩定性的影響
11.5 尺寸縮小進展的可能限制因素
11.6 結論
11.7 參考文獻
11.8 練習題
索引
