光電躍遷效應是窄禁帶半導體紅外探測器的基本物理過程。
半導體能帶結構中,導帶最低點與價帶最高點之間的能量差稱為禁頻寬度,以Eg表示(單位為電子伏特ev).若禁頻寬度Eg
相關詞條
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寬禁帶半導體電力電子器件及其套用
《寬禁帶半導體電力電子器件及其套用》是2009年機械工業出版社出版的圖書，作者是陳治明。
內容簡介 圖書目錄 -
沈波[北京大學寬禁帶半導體研究中心副主任]
沈波，1963年7月出生於江蘇省揚州市，教授、博士生導師、長江學者、國家傑出青年基金獲得者，現任北京大學物理學院副院長、寬禁帶半導體研究中心副主任。
人物經歷 研究方向 主要貢獻 主要貢獻 -
導帶
導帶（conduction band）是由自由電子形成的能量空間。即固體結構內自由運動的電子所具有的能量範圍。
定義 導帶與價帶的關係 -
固體發光
。激活劑原子作為雜質存在於基質的晶格中時，與半導體中的雜質一樣，在禁帶中產生...重在可見光範圍。為了避免發光的再吸收，所用的主體材料（稱為基質）是寬禁帶...GaN；以及金剛石等寬禁帶半導體材料中有些雜質也可形成分立發光中心。常用...
特徵 分類 全過程 表征 主要物理問題 -
能帶和能帶隙
產生微小的能量差異，與此相對應的能級擴展為能帶。 禁帶...電子占據的，此範圍稱為禁帶。原子殼層中的內層允許帶總是被電子先占滿...為Ec，價帶的頂能級表示為Ev，Ec與Ev之間的能量間隔稱為禁帶Eg...
簡單介紹 能帶 原理 相關資料 描述晶體的電子結構及計算晶體性質 -
能帶結構
主要分為導帶、價帶和禁帶三部分如右圖所示。原子中每一電子所在能級在固體中都...占據的，這一範圍稱為禁帶。因為電子的能量狀態遵守能量最低原理和...，電子在導帶和價帶中都不能遷移。因此絕緣體不能導電，一般而言當禁頻寬度大於9...
能帶來源 簡述 分類 能帶結構分析 -
半導體物理學
的能區稱為禁帶隙（簡稱禁帶）。本徵光譜和能帶結構半導體的本徵吸收光譜直接...的光子能量為,Ec(k)和Ev(k)分別表示導帶和價帶的能量函式。這個躍遷...圖中的箭頭都表示對應於吸收邊的電子躍遷。在圖7a的情形，導帶底和價帶頂都...
國防工業出版社出版圖書 電子工業出版社出版圖書 物理學分支 內容簡介 圖書目錄 -
雜質能級
的施主或受主作用一般不明顯，通常稱這些雜質能級為深能級。靠近禁帶中央的深...性能起重要作用 。雜質與連續帶間的躍遷與雜質有關的光躍遷，除了局限在中心內部的躍遷，還可能有雜質能級與連續帶之間的躍遷。這一躍遷在半導體材料中...
釋義 套用 雜質與連續帶間的躍遷 -
本徵激發
。本徵激發的容易程度受到禁頻寬度的影響。分子電子躍遷分子電子躍遷表示分子...的平均能量要大於熱學本徵激發的能量——禁頻寬度。如果是電場加速作用使得...；這種本徵激發所需要的平均能量大約為禁頻寬度的1.5倍。 相關定義1、本...
簡介 相關定義 分子電子躍遷 導帶
