詳細描述
在電阻加熱的直拉或橫拉的晶體生長技術中，在晶體生長前沿加一橫向磁場。由於磁場場的感應阻尼作用，消除了結晶過程中熔體的振動，並且使得結晶前沿熔體的運動形式由片流變為渦流，打亂了那種因潛熱析出溫度周期性起伏所導致的雜質分布的周期性變異。此法可以有效地克服半導體材料中的電阻率微變異，是獲得高均勻性半導體晶體的技術。
分類
晶體生長的方法很多，常用的有橫拉法、直拉法、懸浮區熔法，還有基座法、氣相單晶生長、枝蔓蹼狀晶體生長和磁阻尼法。對於化合物，另外還有液封直拉法、高壓液封直拉法、磁拉法、布里茲曼法和合成溶質擴散法等。外延生長也是一種重要的晶體生長方法。
橫拉法是沿著水平方向生長單晶體的一種方法，也稱水平區熔法。如圖所示，將半導體多晶錠料置於石英舟中，在前端加一籽晶，以高頻感應線圖加熱，首先讓籽晶與淀料交界處融合，然後使熔區以一定速度向淀料的另一端移動，單晶則由晶一端沿著熔區移動的方向生長。直拉法又稱為切克勞斯基法,是生長單晶最常用的方法。這種方法所用的裝置一般稱為單晶爐。懸浮區熔法即在懸浮區域提純時，如果在下夾頭處放置籽晶，從籽晶上開始建立熔區，由下而上地進行區熔，就可將提純後的錠料製成單晶。這種單晶生長的方法稱為懸浮區熔法。此法多用於矽單晶生長。
