碳塗層光纖

光纖在拉絲過程中,用沉積密封碳層的方法保護光纖,可以避免H2和H2O引起的光纖損耗增加和強度衰退。 在升溫和氫壓條件下,把碳密封塗層光纖暴露到H2氣中,光纖的損耗特性與H2或與H2和SiO2中的缺陷反應形成的OH基因有關。

光纖在拉絲過程中,用沉積密封碳層的方法保護光纖,可以避免H2和H2O引起的光纖損耗增加和強度衰退。在升溫和氫壓條件下,把碳密封塗層光纖暴露到H2氣中,光纖的損耗特性與H2或與H2和SiO2中的缺陷反應形成的OH基因有關。

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