碲錫鉛

lead tin telluride
分子式：Pbl-xSnxTe 0≤x≤1
三元固溶半導體材料。
為碲化鉛和碲化錫的連續固溶體，氯化鈉型結構，為直接帶隙半導體。變換x值，可使其帶隙由0變到0.22eV，非摻雜晶體如富金屬則呈n型，富碲則呈p型，在碲化鉛襯底上採用氣相外延、分子束外延等方法製取。
主要用於製作紅外雷射器和探測器。