圖書信息
出版社: 國防工業出版社;
外文書名: Properties of Strained and Relaxed Silicon Germanium
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正文語種: 簡體中文
開本: 大32
ISBN: 9787118028836, 7118028835
條形碼: 9787118028836
尺寸: 20.2 x 14.4 x 2 cm
重量: 381 g
作者簡介
譯者：余金中 編者：(德國)卡斯珀 (Erich Kasper) 合著者：王杏華 王莉 夏永偉
Erich Kasper（卡斯珀），自1994年以來一直擔任德國斯圖加特大學半導體研究所所長，長期從事量子電子器件的理論和納米結構自組織的器件結構MBE研究工作，在SiGe的研究領域具有很高的國際聲望，並有兩本專著和近百篇論文發表。
內容簡介
《矽鍺的性質》共七章，第一章綜述了SiGe應變層系統的一些總體性質；第二章至第六章給出了應變的和弛豫的SiGe合金的具體材料性質，論述了SiGe材料的結晶學、異質結構、熱學性質、力學和晶格振動、能帶結構、輸運特性、磁學特性、表面性質、光吸收和光譜等方面的內容；第七章介紹了一些代表性的SiGe/Si器件的結構和特性。
《矽鍺的性質》是半導體領域的學者和工程技術人員的必讀書，適於材料專業和半導體專業的科技人員、研究生、博士生閱讀，還可供物理領域中的廣大科技人員作為手冊進行查閱。
繼Si之後，SiGe/Si是研究得最多、最深入的一類Si基異質材料。應變的和弛豫的SiGe已經成為電子積體電路和光電子積體電路的非常重要的材料。
目錄
第一章 引言
1.1 應力引起的外延薄膜的形貌不穩定性和成島
1.2 SiGe/Si系統中失配位錯網路的平衡理論
1.3 SiGe/Si系統中亞穩應變層的結構
第二章 結構特性
2.1 SiGe合金系的晶體結構、晶格常數和固一液相圖
2.2 SiGe合金的有序性
2.3 Si/Ge界面：結構、能量和互擴散
第三章 熱學、力學和晶格振動學性質
3.1 SiGe的彈性常數
3.2 SiGe的熱力學性質
3.3 SiGe中的光學聲子、聲學聲子和Raman光譜
第四章 能帶結構
4.1 SiGe的能隙和能帶結構及它們同溫度的依賴關係
4.2 應變對SiGe價帶結構的影響
4.3 應變對SiGe導帶結構的影響
4.4 SiGe中的有效質量
4.5 SiGe異質結和帶偏移
4.6 SiGe的光譜
4.7 弛豫的SiGe合金的光學函式及應變對光學函式的影響
第五章 運輸特性
5.1 SiGe/Si 系中的電子和空穴的遷移率
5.2 Si/SiGe 異質結的注入
5.3 SiGe/Si 結構中的磁運輸特性
第六章 表面性質
第七章 Si 基器件的結構和重要數據集錦
