基本信息
出版社: 冶金工業出版社; 第1版 (2009年2月1日) 平裝: 480頁
正文語種: 簡體中文
開本: 32
ISBN: 9787502445362
條形碼: 9787502445362
產品尺寸及重量: 22.9 x 15.5 x 2.5 cm ; 680 g
ASIN: B0024FB5AS
內容簡介
《矽技術的發展和未來》涵蓋了半導體矽及矽基材料、多晶矽和光伏技術、矽外延和薄膜、矽摻雜、器件、化合物半導體、品格缺陷、雜質影響等多方面的內容，並涉及量子計算機、碳納米管在微電子中的套用、情境智慧型系統、大腦半導體等諸多新概念；系統總結了世界半導體矽材料的發展歷史、研究現狀，並指出了今後的發展方向。其內容廣泛，數據詳實，可作為高等院校、科研院所和相關單位從事半導體材料學習、科研和開發人員的參考用書。
作者簡介
作者：(法國)P.希弗特 (德國)E.克瑞梅爾 譯者：屠海令
目錄
1 導論：各種形式的矽
1.1 引言
1.2 從20世紀60年代到70年代初：能帶
1.3 20世紀70年代：套用於矽的表面理論
1.4 20世紀80年代：矽的結構能
1.5 20世紀90年代：矽團簇與量子點的結構和電子性質
1.6 未來展望
參考文獻
第一部分 半導體體矽晶體
2 矽：半導體材料
2.1 引言
2.2 早期歷史
2.3 矽研究中的競爭與合作
2.4 最初的器件套用
2.5 MOS技術和集成
2.6 結論
參考文獻
3 矽：一個工業奇蹟
3.1 引言
3.2 主要製程
3.3 矽材料生產工藝
參考文獻
第二部分 多晶矽
4 電子器件用多晶矽薄膜
4.1 引言
4.2 多晶矽薄膜分類
4.3 多晶矽生長和微晶結構
4.3.1 CVD多晶矽
4.3.2 非晶矽晶化的多晶矽
4.3.3 CVD多晶矽晶界化學
4.3.4 多晶矽的摻雜
4.4 多晶矽的電性能
4.5 結論
參考文獻
5 光伏用矽
5.1 引言
5.2 光伏用矽材料
5.2.1 不同生產工藝的歷史與現狀
5.2.2 薄膜沉積工藝
5.3 光伏矽的輸運特性
5.3.1 缺陷及雜質對矽輸運性質的影響
5.3 .2吸除改善材料性能
5.4 矽太陽電池
5.4.1 矽太陽電池技術與其他技術的比較
5.4.2 多晶矽太陽電池技術
5.5 結論
參考文獻
第三部分 外延，薄膜和多孔層
6 分子束外延薄膜
6.1 設備原理和生長機理
6.2 歷史概述；
6.3 應變異質結構的穩定性
6.3.1 應變層的臨界厚度
6.3.2 亞穩態膺晶生長
6.3.3 器件結構的加工和退火
6.4 矽MBE生長膜中摻雜劑的分布
6.4.1 摻雜問題
6.4.2 突變和δ型摻雜分布
6.5 半導體器件研究
6.5.1 異質結雙極電晶體（HBT）
6.5.2 SiGeMOSFET和MODFET
6.5.3 垂直MOSFET結構
6.6 若干研究重點介紹
6.6.1 級聯雷射器
6.6.2 表面結構
6.6.3 自組織和有序化
6.7 結論
參考文獻
7 氫化非晶矽（a-Si：H）
7.1 引言
7.2 a-Si的製備和結構性質
7.3 a-Si：H的電學性質
7.4 光致發光和光電導
7.5 亞穩態
7.6 a-Si太陽電池
參考文獻
8 絕緣體上矽和多孔矽
8.1 絕緣體上矽
8.1.1 SOIMOS電晶體的一般性質
8.1.2 SOI套用
8.2 SOI材料
8.2.1 早期的SOI材料
8.2.2 藍寶石上矽（silicon-on-sapphire，SOS）
8.2.3 SIMOX
8.2.4 晶片鍵合和背面腐蝕
8.2.5 智慧型剝離（Smart-Cut）
8.2.6 Eltran
8.3 結論
參考文獻
第四部分 品格缺陷
9 缺陷能譜學
9.1 引言
9.2 表征缺陷特性的基本參數
9.3 結空間電荷技術
9.3.1 電容技術
9.3.2 熱測量技術
9.3.3 光學測量技術
9.4 其他光學測量方法
9.4.1 光熱電離譜
9.4.2 傅立葉光電導納譜
參考文獻
10 矽及其在掃描探針顯微術進展中的重大作用
10.1 引言
10.2 作為掃描探針顯微鏡基準的矽
10.3 作為AFM懸臂材料的矽
10.4 作為STM和AFM尖端的Si（111）（7x7）表面
參考文獻
第五部分 矽摻雜
11 缺陷、擴散、離子注入、再結晶和電介質
11.1 引言
11.2 高溫擴散摻雜
11.3 缺陷與擴散機制
11.4 品格缺陷、擴散與吸雜
11.5 離子注入
11.6 矽、氮、碳及電介質
11.7 注入分布
11.8 濺射和分布
11.9 輻照缺陷與態、表面態以及界面態
11.10 離子注入樣品的熱處理
……
第六部分 某些雜質的作用
第七部分 器件
第八部分 對矽的補充：化合物半導體
第九部分 新的研究領域
