發芽型晶粒長大定義
發芽型晶粒長大方式
發芽型晶粒長大度晶界的遷移率。
當晶界為三維空間的任意曲面時，作用在單位界面上的力P為：
P：晶界遷移的驅動力
：晶界單位面積的界面能
R1、R2：曲面的兩個主曲率半徑
如果空間曲面為球面時，R1=R2，即：晶界遷移的驅動力與其曲率半徑R成反比，與界面能成正比。
（2）晶界總是向角度較銳的晶粒方向移動，力圖使三個夾角都等於120度。
當界面張力平衡時：因為大角度晶界TA=TB=TC，而A+B+C=360度∴A=B=C=120度
在二維坐標中，晶界邊數少於6的晶粒，其晶界向外凸出，必然逐漸縮小，甚至消失，而邊數大於6的晶粒，晶界
向內凹進，逐漸長大，當晶粒的邊數為6時，處於穩定狀態。
在三維坐標中，晶粒長大最後穩定的形狀是正十四面體。
影響因素
發芽型晶粒長大G：晶界遷移速度
G0：常數
QG：晶界遷移的激活能
（2）第二相晶粒長大的極限半徑
K：常數
r：第二相質點半徑
f：第二相的體積分數
∴第二相質點的數量越多，顆粒越小，則阻礙晶粒長大的能力越強。
設第二相顆粒為球形，對晶界的阻力為F，與驅動力平衡
α角只取決於第二相顆粒與晶粒間的表面張力，可看作恆定值，現將（1）式對φ求極大值，
假設在單位面積的晶界面上有NS個第二相顆粒，其半徑都為r，則總阻力（3）
設單位體積中有NV個質點，其體積分數為f
取單位晶界面積兩側厚度皆為r的正方體，所有中心位於這個1×1×2r體積內半徑為r的第二相顆粒，都將與這部
分晶界交截，單位面積晶界將與1×1×2r×NV個晶粒交截。
二次再結晶
發芽型晶粒長大為特別粗大的晶粒，而其周圍較細的晶粒則逐漸被吞食掉，整個金屬由少數比再結晶後晶粒要大幾十倍甚至幾百
倍的特大晶粒組成。
2.驅動力：同正常晶粒長大一樣，是長大前後的界面能差
3.產生條件：正常晶粒長大過程被彌散的第二相質點或雜質、織構等所強烈阻礙。
4.對性能的影響：得到粗大組織，降低材料的室溫機械性能，大多數情況下應當避免。
