疊柵雪崩注入

疊柵雪崩注入

疊柵雪崩注入型MOS(Stacked gate avalanche injection MOS)簡稱SAMOS器件,也是採用雪崩注入法寫入信息。在控制柵上加正電壓時,因為在結表面附近形成很強的電場,故在較低的電壓下就可發生雪崩效應。

基本信息

光擦唯讀存儲器

光擦唯讀存儲器(EPROM)是一種可以重複擦寫的唯讀存儲器。根據結構可分為浮動柵型MOS和疊柵雪崩注入型MOS兩種類型。擦除時,用紫外線照射晶片10~20min,即可擦除全部內容;寫入時,根據不同類型的MOS,分別加入所需要的電壓即可寫入信息。EPROM的擦除/寫入,必須是全部擦除/寫入,哪怕整個晶片上只錯一位也必須將其從主機板上撥下擦掉後再重寫。

EPROM分類

浮動柵型MOS

浮動柵型MOS工作原理如下:

1、寫1

浮動柵型MOSEPROM為全0晶片。當在其存儲單元的源與漏間加上50V左右的電壓時,此管會引起雪崩.由於遂道效應,電子注入到浮動柵上。當浮動柵上聚積的電荷足夠多時,源漏導通,該存儲單元變為1。由於浮動柵處於四周絕緣狀態,其電荷不會丟失,故使該存儲單元的數據不會丟失。

2、擦洗

用紫外線照射,可擦去所存的數據。當晶片受到紫外線照射時,可釋放掉浮動柵上所積存的電荷,使各存儲單元恢復到原始狀態。

疊柵雪崩注入型MOS

疊柵雪崩注入型MOS工作原理如下;

1、寫1

在控制柵上加正電壓,會在結表面形成很強的電場,故在源與漏之間加上較低的電壓,便可發生雪崩效應,使電子飛快地注入到浮動柵上。浮動柵上的負電荷,使電晶體導通,該存儲單元變為1。

2、擦洗

用紫外線直接照射氧化膜,使浮動柵上的電子因獲得足夠能量而飛出浮動柵,電晶體又恢復到截止狀態,存儲單元又回到0態。

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