SAMOS（Superpose-avalanche-injection MOS）器件，即為 疊柵雪崩注入MOS器件，它的結構如圖所示。
SAMOS器件它這與FAMOS一樣，也是一種利用雪崩注入的存儲器件。其結構實際上就是在FAMOS的浮柵之上的SiO2層表面上, 再加上一個控制柵而構成的。它在工作時，常態亦為截止狀態 (無溝道)；當增大Vds使漏結髮生雪崩擊穿時，可在控制柵上加一正電壓以加
強電子往浮柵的注入，則可在較低的Vds電壓下、注入較多的電荷到浮柵中而使器件導通。因此, SAMOS的工作電壓較低。SAMOS浮柵中的電子, 可通過在控制柵上加較大的偏壓迫使它們通過外柵釋放出來，從而可實現電擦除。
