王萬業

王萬業早期負責研究開發成功微電子主流技術HCMOS,並在短溝道效應、窄溝道效應、積體電路工藝工程技術等方面做了深入研究,相繼研製成功一系列高性能積體電路產品。 負責國家“八五”重點科技攻關項目“1微米大生產技術研究和關鍵產品開發”,在國內領先建立1微米CMOS成套工藝模組,相繼研製出國內最大規模的4萬門門海、集成度達20萬個元件的高速數位訊號處理器以及集成度達160萬個元件的256KSRAM等電路,1微米CMOS全套技術為國家多項重點工程研製開發和生產多種專用積體電路。 承擔國家“九五”科技攻關項目,研究開發新一代CMOS積體電路技術,為我國微電子技術的發展作出了突出貢獻。

王萬業,江都市樊川鎮三周人,1942年11月生。大學文化,研究員級高級工程師。
王萬業 1968年畢業於成都電訊工程學院,先後在電子工業部第24研究所、電子工業部中國華晶電子集團公司中央研究所等單位從事積體電路研究開發工作,擔任課題組長、研究室副主任、研究室主任、研究所副總工程師和研究所副所長等職務。
王萬業早期負責研究開發成功微電子主流技術HCMOS,並在短溝道效應窄溝道效應、積體電路工藝工程技術等方面做了深入研究,相繼研製成功一系列高性能積體電路產品。負責國家“八五”重點科技攻關項目“1微米大生產技術研究和關鍵產品開發”,在國內領先建立1微米CMOS成套工藝模組,相繼研製出國內最大規模的4萬門門海、集成度達20萬個元件的高速數位訊號處理器以及集成度達160萬個元件的256KSRAM等電路,1微米CMOS全套技術為國家多項重點工程研製開發和生產多種專用積體電路。承擔國家“九五”科技攻關項目,研究開發新一代CMOS積體電路技術,為我國微電子技術的發展作出了突出貢獻。獲國家級科技進步獎二等獎2次,獲電子工業部科技進步獎一等獎3次,獲電子工業部科技進步獎二等獎3次,獲國家計委、國家科委和財政部國家“八五”科技攻關突出貢獻獎,獲電子工業部“八五”科技攻關突出貢獻獎和“七五”科技攻關突出貢獻獎。

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