![王曦[中國科學技術協會第九屆全國委員會副主席]](/img/c/796/nBnauM3X2MTM1kDO3cTMykDN2QTM4ADO0ADOzQTNwAzMwIzL3EzL3gzLt92YucmbvRWdo5Cd0FmLxE2LvoDc0RHa.jpg "王曦[中國科學技術協會第九屆全國委員會副主席]")
人物履歷
王曦王曦院士現為中國科學院上海微系統與信息技術研究所所長，中共十八大代表。
2016年6月2日，中國科協第九次全國代表大會舉行第九屆全委會第一次會議，王曦當選中國科學技術協會第九屆全國委員會副主席。
2017年5月2日，任中國科學院上海高等研究院院長。
2017年5月12日，在上海市第十一次黨代表大會選舉為上海市出席黨的十九大代表。
2018年6月至2020年6月，任亞洲科學理事會主席。
黨的十八大、十九大代表，中國共產黨第十九屆中央委員會候補委員
研究方向
長期致力於載能離子束與固體相互作用物理現象研究，並將研究成果套用於電子材料SOI（Silicon-on-insulator）的開發。在對離子注入SOI合成過程中的物理和化學過程研究基礎上，自主開發了一系列將SOI材料技術產業化的關鍵技術，建立了我國SOI材料研發和生產基地。在載能離子束與固體相互作用以及離子束輔助薄膜沉積技術研究方面，揭示了載能離子作用下薄膜表面微結構、相組分、電子學、光學、生物學特性，實現了載能離子束薄膜生長的可控制性。
學術成績
負責1項中科院知識創新工程項目，1項國家八六三高技術項目，1項國家自然科學基金項目，1項中科院套用研究與發展重點項目，1項上海市科技發展基金重點課題. 建立了國內第一台真空磁過濾弧先進薄膜沉積系統,在常溫下製備了新型碳族材料－非晶金剛石薄膜：金剛石鍵含量高達85％，且不含有氫，解決了常規方法製備類金剛石薄膜中的這一對矛盾。 與劍橋大學學者同時在國際上首先提出用非晶金剛石薄膜代替金剛石薄膜作場致發射平板顯示器的陰極材料，實現了真正平面陰極的場致發射平板顯示器結構，獲得優異的場致電子發射結果，研製成功場致發射平板顯示器原型器件。 開展了離子束輔助沉積氮化物薄膜系列性研究工作，揭示了荷能離子作用下薄膜表面形貌、織構、相組份、應力以及納米層狀結構的演變規律，進而獨創性地提出若干新的思想和技術方法，並實現了薄膜,尤其是亞穩相薄膜,生長的可控制性。上述成果獲中科院發明二等獎1項，中科院自然科學三等獎1項，獲準專利2項，在國核心心刊物(如中國科學、科學通報等)、國外權威雜誌(如APL,JAP)以及國際會議上發表論文59篇。統計過去5年的情況,被SCI收錄36篇、引用45次，被EI收錄23篇。
獲得榮譽
曾獲國家科技進步一等獎及何梁何利基金科學與技術進步獎等多項獎勵。
2017年5月，獲得全國創新爭先獎。
