原理簡介
流注理論
stream theory
詳細內容
套用流注理論描述放電過程見圖流注理論描述的放電過程。在外施電場作用下，電子崩由陰極向陽極發展，由於氣體原子（或分子）的激勵、電離、複合等過程產生光電離，在電子崩附近由光電子引起新的子電子崩，電子崩接近陽極時，電離最強,光輻射也強。光電子產生的子電子崩匯集到由陽極生長的放電通道，並幫助它的發展，形成由陽極向陰極前進的流注（正流注），流注的速度比碰撞電離快。同時，光輻射是指向各個方向的，光電子產生的地點也是隨機的，這說明放電通道可能是曲折進行的。正流注達到陰極時，正負電極之間形成一導電的通道，可以通過大的電流，使間隙擊穿。如果所加電壓超過臨界擊穿電壓（過電壓），電子崩電離加強，雖然電子崩還沒有發展到陽極附近，但在間隙中部就可能產生許多光電子及子電子崩,它們匯集到主電子崩,加速放電的發展，增加放電通道的電導率，形成由陰極發展的流注（負流注）。瑞特和米克認為，當電子崩頭部的電場比外加電壓在間隙中形成的均勻電場更強時，電子崩附近電場嚴重畸變，電離劇烈，放電可以自行發展成流注，從而導致間隙擊穿。根據這一基本思想，他們進行了理論推演。雖然他們計算電子崩頭部電場的方法不盡相同，推導出不同的計算擊穿電壓的方程，但是計算得到的擊穿電壓很相近，與試驗比較相符。
理論發展
20世紀60年代後期，納秒照相技術發展，使對放電通道的研究有了更深入的發展，發現電子崩進行到一定距離之後，放電通道分別向陽極和陰極發展，其速度比電子崩快。
