江浩川

江浩川

江浩川,男,美國籍華人,1966年10月2日生,美國阿爾弗雷德大學陶瓷工程專業博士,國家“千人計畫”科學家,CT探測器和材料方面的國際頂尖專家。現任明峰醫療系統股份有限公司技術總裁兼研究院院長。

基本信息

教育背景

1982.09–1986.07浙江大學材料科學與工程專業學士學位;

1986.09–1989.07中科院上海光機所材料科學與工程學碩士學位;

1995.09–1998.07美國Alfred大學陶瓷工程學博士學位;

2002 美國Marquette大學MBA。

工作履歷

1989.08–1992.01國嘉光電有限公司研發工程師;

1992.01–1995.02國嘉光電有限公司廠長助理;

1998.07–2001.12美國密爾沃基通用電氣醫療公司高級工程師;

2001.12–2008.12美國密爾沃基通用電器醫療公司項目經理;

2009.01–2012.04美國密爾沃基通用電器醫療公司探測器材料首席工程師;

2010.05–2012.04美國密爾沃基通用電器醫療公司安檢CT探測器部經理;

2012年5月以“旗艦人才”計畫引進加入中科院寧波材料技術與工程研究所,擔任光電功能材料及器件團隊負責人。

研究領域

閃爍體材料與器件、半導體直接轉換探測器材料與器件等。

研究概況

在全球頂尖的醫療設備開發商GE公司供職近15年,全面領導開發了當今世界上最先進的寶石CT產品,並成功實現產業化;先後獲GE公司的Whitney技術成果獎以及2010年度美國陶瓷協會的工業技術成果獎。

領導(參與)過的項目:

第二代寶石探測器材料的研發,GE新產品研發500萬美元2009至今;

光子技術探測器和材料,GE新產品研發300萬美元2011.01-2011.12;

CZT材料的加工技術,美國國土安全部核探測司130萬美元2009.01-2011.12;

新一代安檢CT探測器,MophorDetectionInc.資助,250萬美元2010.05-2011.04;

寶石CT探測器和材料的研發,GE新產品研發,5000萬美元2001.12-2008.12;

64排CT探測器產品的研發,GE新產品研發,2000萬美元2004.01-2005.12;

16排CT探測器產品的研發,GE新產品研發,1500萬美元2001.10-2003.06;

閃爍體陶瓷的生產技術改進GE公司內部資助,50萬美元2000.01-2001.06。

學術成果

發表文章:

1)ZhaohuaLuo,HaochuanJiang*,JunJiang,“SynthesisofCerium-DopedGd3(Al,Ga)5O12PowderforCeramicScintillatorswithUltrasonic-AssistedChemicalCoprecipitationMethod”,JournaloftheAmericanCeramicSociety,2013,96,10,3038-3041.

2)ShenghuiYang,YanSun,YeZhang,ZhaohuaLuo,JunJiang,HaochuanJiang.Theeffectsofcationconcentrationinthesaltsolutionontheceriumdopedgadoliniumgalliumaluminumoxidenanopowderspreparedbyaco-precipitatedmethod.IEEETrans.Nucl.Sci.(Accepted)

3)YanSun,ShenghuiYang,YeZhang,JunJiang,HaochuanJiang.Co-precipitationSynthesisofGadoliniumAluminumGalliumOxide(GAGG)viaDifferentPrecipitants.IEEETrans.Nucl.Sci.(Accepted)

4)Q.Yang,H.P.Xia*,andH.C.Jiang,“FabricationofNano-HydroxyapatiteUsingaNovelUltrasonicAtomizationPrecipitationMethod”,JournalofNanoscienceandNanotechnology,10(3)2213-2218,2010.

5)W.W.Zhang,E.Tkaczyk,K.Andreini,S.Hayashi,N.Garg,P.Bednarczyk,H.Jiang,“Processcompetitioninthemicromachiningofbrittlecomponents”,4thPacificInternationalConferenceonApplicationsofLasersandOptics,PICALO2010,March23,2010-March25,2010.

6)L.Zhang,H.P.Xia,Q.Yang,D.J.WangandH.C.Jiang,“PreparationandcharacterizationofY3Al5O12:Ln(Ln=Eu,Ce)phosphorpowdersbyultrasonicatomizationandco-precipitationprocess”,JournalofRareEarths,2010.

7)J.Cui*,K.Andreini,Tkaczyk,J.Eric;N.Garg,S.Hayashi,W.W.Zhang,M.Yamada,H.C.Jiang,G.Schweinert,Chen,Henry;G.Bindley,“CZTsub-surfacedamageassessmentusingelectricalleakagemeasurements”,IEEENuclearScienceSymposiumConferenceRecord,pp.1653-1657,2009.

8)H.C.Jiang*,W.LaCourse,“EffectsofAtmospheresonVolatilisationandSurfaceTension”,CeramicTransaction,Vol.82,pp.233-238,1998.

9)H.C.Jiang*andW.C.LaCourse,“RedoxReactionsandFoamingBehaviorinGlassMelts”,InElectrochemistryofglassandceramics,editedbyS.K.Sundaram,etal,AmericanCeramicSociety,pp73,1998.

10)H.Jiang*andW.C.LaCourse,“NitridationofBioresorbablePhosphateGlass”,MRSProceedings(1996),pp455-501,1996.

11)江浩川*,乾福熹,孫洪維,“CdCl2-PbCl2-KCl(BaCl2)和BiCl3-KCl-As2S3系統玻璃化學穩定性的研究”,無機材料學報6(03)1991.

12)江浩川*,孫洪維,乾福熹,“以CdCl2和PbCl2為基的玻璃的形成及其性質”,材料科學進展5(01)1991,64-69.

13)H.Jiang*,H.Sun,andF.Gan,“Formation,Structure,andPropertiesofSomeChlorideandChalcohalideGlasses”,EuropeanJournalofSolidStateandInorganicChemistry,vol28,1277(1991).

14)H.C.Jiang*,B.Yuan,H.W.Sun,andF.X.Gan,“AstudyonthestructuresofglassesbasedonCdCl2andPbCl2”,JournalofMaterialsScienceLetters,10(22)1326-1328,1991.

15)HaochuanJiang,H.Sun,FuxinGan,B.Yuan,“PropertiesandstructureoftheIRtransmittingglassesintheCdCl2Basedsystems”,JournalofMaterialsScienceLetters,9,1195-1196,1990.

申請專利:

1.HaochuanJiang,DavidM.Hoffman,2002-11-12,ApparatusandmethodofConvertingelectromagneticenergydirectlytoelectronsforcomputedtomographyimaging,US6,480,562B2,美國

2.DavidM.Hoffman,HaochuanJiang,2002-11-12,SystemandMethodofaligningscintillatorcrystallinestructuresforcomputedtomographyimaging,US6,480,563B2,美國

3.HaochuanJiang,2002-12-24,SystemandMethodofComputerTomographyImagingUsingaCeriumDopedLutetiumOrthosilicateScintillator,US6,498,828B2,美國

4.DavidM.Hoffman,HaochuanJiang,2004-03-09,SystemandMethodofAligningScintillatorCrystallineStructuresforComputedTomographyImaging,US6,704,391B2,美國

5.DavidGerardMliner,HaochuanJiang,RichardLouisHart,ChangWei,JaimeAndresEcheverry,2005-05-24,ScintillatorArraysforRadiationDetectorsandMethodsofManufacture,US6,898,265B1,美國

6.HaochuanJiang,DavidM.Hoffman,JamesS.Vartuli,2006-05-30,CTDetectorArrayHavingNonPixelatedScintillatorArray,US7,054,408B2,美國

7.HaochuanJiang,DavidMichaelHoffman,2007-01-23,ScintillatorArrayforUseinACTImagingSystemandMethodForMakingTheScintillatorArray,US7.166.849B2,美國.

8.HaochuanJiang,DavidM.Hoffman,JamesS.Vartuli,2007-05-29,CTDetectorArrayHavingNon-PixelatedScintillatorArray,US7,224,766B2,美國

9.HaochuanJiang,DavidMichaelHoffman,2007-10-16,CompositionsandMethodsforScintillatorArrays,US7,282,713B2,美國

10.HaochuanJiang,DavidM.Hoffman,2007-12-11,Multi-LayerReflectorForCTDetector,US7,308,074B2,美國

11.HaochuanJiang,DavidMichaelHoffman,2008-10-28,X-rayDetectorFabricationMethodsandApparatusTherefrom,US7,442,938B2,美國

12.HaochuanJiang,DavidM.Hoffman,JamesS.Vartuli,2010-01-05,CTDetectorArrayHavingNon-pixelatedScintillatorArray,US7,643,607B2,美國

13.JiangHaochuan,2010-07-08,MethodofMakingaPost-PatentCollimatorAssembly,US7,730,748B2,美國

14.HaochuanJiang,2011-08-30,X-RayDetectorFabricationMethodsAndApparatusTherefrom,US8,008,624,B2,美國

15.HaochuanJiang,2013-01-29,X-RayDetectorFabricationMethodsAndApparatusTherefrom,US8,362,433B2,美國

16.ZhaopingWu,HaochuanJiang,JosephJamesLacey,JamesS.Vartuli,YuefengSun,QunDeng,XiaoyeWu,KunTao,ZhaohuiYang,2DReflectorandCollimatorStructureandMethodofManufacturingThereof,US8,385,499B2,美國

獲得榮譽

2018年1月,榮獲“紹興市榮譽市民”稱號。

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