研究方向
過分多個
科研成果
1、數字圖像處理
紅外目標檢測對醫學圖像處理、農作物病蟲害監視、污染物探測、地域性乾旱調查以及地下礦藏勘查是十分重要的，同時在軍事上它還是紅外搜尋跟蹤系統、紅外成象制導飛彈、和紅外告警系統的核心技術，是提高作用距離和檢測機率等關鍵技術指標的重要途徑，是進一步提高系統性能的關鍵技術環節，國內外一直將這一問題作為紅外圖像處理的研究重點和難點。五年來主要研究的課題包括：機載紅外搜尋跟蹤系統（O9905H04，第三人），風動起爆器預警系統（O0005h04，第一人），直升飛機著艦引導系統圖象處理（O0005h07，第一人），水上競賽電子裁判設備研製（O0205P04，第一人），木工數控工具機樣機研究（09804H01，第二人），STZ—1B轉台控制器研究（O0004h01，第二人）等。該課題方向以《紅外與可見光成像跟蹤研究》為題，獲1999年1月28日西安市人民政府頒發的西安市科技進步三等獎。
2、 半導體圓片上缺陷的光電診斷方法研究
在VLSI生產過程中，缺陷的探測和分類是關乎生產成品率的重要問題。半導體製造業的急劇發展對生產管理中的測量與檢測系統提出更高的要求。對圓片質量進行有效的實時線上自動診斷已成為保證VLSI質量的關鍵技術手段。缺陷診斷關鍵步驟是對缺陷光散射顯微成像，因而理論分析缺陷的散射特性及其相應的光學探測系統設計至關重要。該方向的研究工作在國內尚處於起步階段。主要研究課題有：表面上不規則微粒缺陷的光散射計算（03003，第一人）。成果有：第十二屆全國光散射學術會議發表論文4篇，光散射學報發表論文4篇。
3、 MOCVD薄膜生長過程的光電監控技術
由於目前我校開發研製的MOCVD設備主要用於生長寬禁帶半導體材料（GaN,SiC等），對沉積過程中的薄膜生長率、薄膜應力等控制要求嚴格。目前設備還無法對薄膜生長過程監測，只能依靠操作人員經驗安排沉積進程。因此，本研究方向將開展MOCVD薄膜生長過程參數監測方法研究，以解決該系統薄膜生長率、薄膜應力精確現場測量的問題。該研究將使目前MOCVD設備生長控制方式改善，從而能製造高性能的半導體材料和器件，產生的社會和經濟效益，在理論和實際兩方面取得明顯成果。該方向的研究工作在國內尚處於起步階段。主要研究的課題包括：MOCVD系統控制模式和方法研究（陝西省自然基金，2002F13，第二人）。論文成果有：《半導體光電》論文一篇：用光反射測量方法實時檢測薄膜應力的一種新裝置，《半導體學報》論文一篇：基於自會聚多光束陣列的薄膜應力感測器。
