朱勤生

朱勤生，一九五一年五月生，研究員，博士生導師，現任職於中國科學院半導體研究所。

研究員，博士生導師。一九五一年五月生。一九七八年畢業於南京工學院，後考入南京大學物理系攻讀碩士研究生。經選拔，於一九八三年赴日本名古屋大學學習，一九八六年獲碩士學位，一九八九年獲博士學位。現任職於中國科學院半導體研究所。在日本期間，主要從事III-V族混晶半導體材料InGaAsP的物理特性研究。一九九一年回國後，在中國科學院半導體研究所工作至今。回國期間，主要從事半導體低維結構的深能級研究以及GaAs/AlGaAs多量子阱的紅外吸收物理特性的研究。首次觀察到在該結構中有電子的電漿振盪信號，並提出利用這一振盪製作紅外光垂直入射光吸收器件以用於民用攝像儀的探測系統。現在正從事GaN材料及其低維結構的物理特性研究。在研究III族氮化物的體材料中，主要在理論上和實驗上研究了點缺陷對載流子散射以及GaN膜的深能級特性以及光學特性。在低維結構中，主要研究了1)線缺陷對兩維電子氣的散射； 2)用低溫鈍化法製作的InGaN量子點的結構、光學和電學特性。現在正在進行的工作是：InGaN/GaN和 GaN/AlGaN多量子阱的紅外吸收特性的研究。自從從事半導體材料的物理特性的研究以來，共發表論文30餘篇，其中10篇發表在國際一流刊物上。E-mail: [email protected]
完成/在研主要項目
“973”課題項目“信息功能材料相關基礎問題”的子課題“低維結構材料物理和GaN物理特性研究（2001-2005）
國家自然基金“高探測率垂直入射GaAs/AlGaAs多量子阱紅外探測器“ （1997-1999）
北京市自然科學基金“新型垂直入射GaAs/AlGaAs多量子阱紅外探測器的研製” （1996.8-1999.7）
代表性論著（十篇以內）
B.Z.Qu, Q.S.Zhu, X.H.Sun, S.K.Wan, Z.G.Wang, H.Nagai, Y.Kawaguchi, K.Hiramatsu and N.Sawaki,"Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by MOVPE"
J. Vac. Sci. Technol. A21, Jul/Aug, (2003) 838.
B.Z.Qu, Z.Chen, D.C.Lu P.D.Han, X.L.Liu, X.H.Wang, D.Wang, Q.S.Zhu and Z.G.Wang, "Structure characteristics of InGaN quantum dots fabricated by passivation and low temperature method"
J. Cryst. Growth, 252 (2003) 19.
曲寶壯，朱勤生，陳振，陸大成，韓培德，劉祥林，王曉輝，孫學浩，李昱峰，陸沅，黎大兵，王占國，“新工藝生長的InGaN量子點的結構與電學性質的研究“
Journal of Functional Materials and Devices, 9 (2003) 13
Z.Chen,H.R.Yuan, D.C.Lu, X.H.Sun, S.K.Wang, X.L.Liu, P.D.Han, X.H.Wang, Q.S.Zhu and Z.G.Wang, "Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase eptaxy"
Solid-State Electronics, 46 (2002) 2069
陳振，韓培德，陸大成，劉祥林，王曉輝， 李昱峰，袁海榮，陸沅，黎大兵，王秀鳳，朱勤生，王占國，“鈍化低溫法生長多層InGaN量子點的結構和光學特性“
《發光學報》，24 （2003）135.
Q.S.Zhu and N.Sawaki,"Nitrogen vacancy scattering in n-GaN grown by MOVPE"
Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1594
Q.S.Zhu, H.Nagai, K.Kawaguchi, K.Hiramatsu, and N.Sawaki, "Effect of thermal annealing on hole trap levels in Mg-doped GaN grown by MOVPE,"J.Vac.Sci. Technol., A18, Jan/Feb (2000) 261
Q.S.Zhu, H.Matsushima, K.Hiramatsu and N.Sawaki, "Cathodoluminescence on GaN hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective MOVPE"Applied Surface Science, 167 (2000) 149.
Q.S.Zhu, Y.P.He, Z.T.Zhong, X.H.Sun, K.Hiramatsu, "Infrared absorption efficiency in AlAs/AlGaAs type-II multiple-quantum well structure grown on(211) GaAs substrate"
Phys. Stat. Sol. (b) 217 (2000) 833